Tài liệu Nghiên cứu chế tạo và khảo sát quá trình chuyển pha znszno của các cấu trúc nano zns một chiều

BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Đỗ Quang Trung NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT QUÁ TRÌNH CHUYỂN PHA ZnS/ZnO CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO ZnS MỘT CHIỀU LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội - 2014 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI Đỗ Quang Trung NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO VÀ KHẢO SÁT QUÁ TRÌNH CHUYỂN PHA ZnS/ZnO CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO ZnS MỘT CHIỀU Chuyên ngành: Vật liệu quang học, quang điện tử và quang tử Mã số: 62440127 LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: 1. PGS.TS. Phạm Thành Huy 2. TS. Trần Ngọc Khiêm Hà Nội - 2014 LỜI CẢM ƠN Để hoàn thành được quyển luận án này là nhờ vào công lao rất lớn của hai người thầy hướng dẫn tôi là PGS.TS. Phạm Thành Huy và TS. Trần Ngọc Khiêm đã hướng dẫn rất tận tình và giúp đỡ tôi rất nhiều trong quá trình thực hiện luận án ở Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ. Bằng tận đáy lòng, tôi xin chân thành bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc đến Thầy Phạm Thành Huy, người đã tận tình giúp đỡ cho tôi ý tưởng, định hướng nghiên cứu cũng như tạo mọi điều kiện thuận lợi trong quá trình làm thực nghiệm và giúp đỡ về vật chất lẫn kiến thức cho tôi trong quá trình học tập và nghiên cứu tại trường Đại học Bách khoa Hà Nội. Tôi xin chân thành cảm ơn rất nhiều tới Ban Lãnh đạo Viện AIST, ITIMS đã nhiệt tình giúp đỡ và tạo mọi điều kiện cho tôi làm thực nghiệm và nghiên cứu trong thời gian qua. Tôi cũng xin bày tỏ lòng biết ơn đến các Thầy cô giáo và các cán bộ của Viện AIST đã giúp đỡ tận tình trong suốt quá trình nghiên cứu và học tập. Tôi xin cảm ơn đến TS. Nguyễn Duy Hùng, ThS. Nguyễn Tư đã giúp cho tôi đo các phép đo huỳnh quang và cũng xin cảm ơn đến GS. TS. Nguyễn Đức Chiến, PGS. TS Trần Kim Anh, TS. Trịnh Xuân Anh và TS. Đào Xuân Việt đã có nhiều ý kiến đóng góp cho luận án. Trong quá trình nghiên cứu, tôi còn nhận được sự giúp đỡ của các Phòng ban chức năng của ĐHBK HN, Phòng thí nghiệm của Viện Khoa học Vật liệu–Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam, Trung tâm Khoa học Vật liệu – ĐHKHTN - HN, Phòng thí nghiệm Hiển vi điện tử - Viện Vệ sinh Dịch tể Trung ương, Phòng thí nghiệm Lumilab Khoa khoa học chất rắn - Đại học Gent - Bỉ. Tôi xin chân thành cảm ơn đến mọi sự giúp đỡ này. Tôi cũng xin cảm ơn đến Ban Giám Hiệu Trường Đại Học Công nghiệp Quảng Ninh, Ban Chủ Nhiệm Khoa Khoa Khoa học Cơ bản, Bộ môn Vật lý đã tạo mọi điều kiện thuận lợi cho tôi đi nghiên cứu và bảo vệ luận án tiến sĩ ở Hà Nội. Đồng thời, tôi cũng xin gửi lời cám ơn đến tất cả các bạn học viên NCS - AIST, ITIMS, bạn bè đã hết lòng động viên tinh thần tôi trong thời gian thực hiện luận án. Cuối cùng, tôi xin cảm ơn tới gia đình, họ hàng và người thân của tôi, những người đã luôn động viên tinh thần và giúp đỡ vật chất. Tôi không biết nói gì hơn ngoài lời cảm ơn sâu sắc, chân thành tới những người thân yêu nhất của tôi. Nội dung nghiên cứu của luận án nằm trong khuôn khổ thực hiện đề tài NAFOSTED mã số 103.02.102.09 và đề tài Nghiên cứu cơ bản định hướng ứng dụng mã số DTDL.5-2011-NCCB. Tác giả Đỗ Quang Trung i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi. Các kết quả nêu trong luận án là trung thực và chưa từng công bố trong bất kỳ một công trình nào. Tác giả Đỗ Quang Trung ii MỤC LỤC LỜI CẢM ƠN ....................................................................................................................... i LỜI CAM ĐOAN ................................................................................................................ ii DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT ....................................................... vi DANH MỤC BẢNG BIỂU .............................................................................................. viii DANH MỤC HÌNH VẼ .................................................................................................... viii MỞ ĐẦU............................................................................................................................... 1 CHƢƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ CÁC CẤU TRÚC NANO TINH THỂ MỘT CHIỀU ZnS, ZnO VÀ CÁC CẤU TRÚC NANO DỊ THỂ MỘT CHIỀU ZnS/ZnO ........................................... 5 1.1. CƠ SỞ LÝ THUYẾT ............................................................................................... 5 1.1.1. Giới thiệu ............................................................................................................. 5 1.1.1.1. Vật liệu nano ................................................................................................. 5 1.1.1.2. Hiệu ứng giam giữ lượng tử ......................................................................... 6 1.1.1.3. Hiệu ứng bề mặt ........................................................................................... 8 1.1.2. Các cấu trúc nano một chiều.............................................................................. 10 1.1.2.1. Giới thiệu .................................................................................................... 10 1.1.2.2. Cơ chế hình thành các cấu trúc nano 1D từ pha hơi ................................... 11 1.1.3. Các cấu trúc nano dị thể một chiều.................................................................... 15 1.2. CÁC CẤU TRÚC NANO TINH THỂ MỘT CHIỀU ZnS, ZnO ....................... 16 1.2.1. Các cấu trúc nano tinh thể một chiều ZnS ......................................................... 16 1.2.1.1. Tổng hợp các cấu trúc nano một chiều của ZnS ......................................... 16 1.2.1.2. Tính chất quang của các cấu trúc nano một chiều ZnS .............................. 20 1.2.2. Các cấu trúc nano tinh thể một chiều ZnO ........................................................ 26 1.2.2.1. Hình thái cấu trúc của các nano tinh thể một chiều ZnO ........................... 26 1.2.2.2. Tính chất quang .......................................................................................... 27 1.3. CÁC CẤU TRÚC NANO DỊ THỂ MỘT CHIỀU ZnS/ZnO .............................. 33 1.3.1. Các cấu trúc nano phức tạp................................................................................ 33 1.3.2. Các cấu trúc nano dị thể đồng trục (lõi /vỏ) ...................................................... 33 1.3.3. Tính chất quang của các cấu trúc nano dị thể một chiều ZnS/ZnO ................... 37 1.4. CÁC PHƢƠNG PHÁP KHẢO SÁT CÁC THUỘC TÍNH CẤU TRÚC VÀ TÍNH CHẤT CỦA VẬT LIỆU SAU CHẾ TẠO ........................................................ 38 iii CHƢƠNG 2 NGHIÊN CỨU SỰ HÌNH THÀNH CẤU TRÚC NANO MỘT CHIỀU ZnS/ZnO TỪ CÁC CẤU TRÚC NANO MỘT CHIỀU ZnS BẰNG PHƢƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT KẾT HỢP VỚI ÔXY HÓA NHIỆT TRONG MÔI TRƢỜNG KHÔNG KHÍ .. Tóm tắt ............................................................................................................................... 41 2.1. GIỚI THIỆU ........................................................................................................... 42 2.2. THỰC NGHIỆM .................................................................................................... 42 2.3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ................................................................................ 45 2.3.1. Đánh giá các tính chất của dây nano ZnS chế tạo được bằng phương pháp bốc bay nhiệt ...................................................................................................................... 45 2.3.2. Nghiên cứu quá trình chuyển pha ZnSZnO trong môi trường không khí ..... 47 2.4. KẾT LUẬN CHƢƠNG 2 ....................................................................................... 58 CHƢƠNG 3 SỰ HÌNH THÀNH CẤU TRÚC NANO DỊ THỂ ZnS/ZnO MỘT CHIỀU TỪ CÁC CẤU TRÚC NANO MỘT CHIỀU ZnS BẰNG PHƢƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT KẾT HỢP VỚI ÔXY HÓA NHIỆT TRONG MÔI TRƢỜNG KHÍ ÔXY TRONG KHI NUÔI VÀ SAU KHI NUÔI ...................................................................................... 60 Tóm tắt ............................................................................................................................... 60 3.1. GIỚI THIỆU ........................................................................................................... 61 3.2. THỰC NGHIỆM .................................................................................................... 64 3.3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ................................................................................ 65 3.3.1. Sự hình thành các cấu trúc nano một chiều ZnS bằng phương pháp bốc bay nhiệt bột ZnS lên trên đế Si/Au theo cơ chế hơi - lỏng - rắn (VLS) ........................... 65 3.3.1.1. Hình thái bề mặt và các đặc tính cấu trúc của các nano tinh thể một chiều ZnS nhận được sau khi nuôi .................................................................................... 65 3.3.1.2. Tính chất quang của dây nano, đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi ...... 67 3.3.2. Các cấu trúc nano dị thể một chiều ZnS/ZnO và quá trình chuyển pha ZnS  ZnO bằng phương pháp ôxy hóa nhiệt trong môi trường khí ôxy sau khi nuôi và trong khi nuôi ........................................................................................................................ 74 3.3.2.1. Nghiên cứu quá trình chuyển pha ZnS  ZnO bằng phương pháp ôxy hóa nhiệt trong khi nuôi ................................................................................................. 74 3.3.2.2. Nghiên cứu quá trình chuyển pha ZnS  ZnO bằng phương pháp ôxy hóa nhiệt sau khi nuôi trong môi trường khí ôxy ........................................................... 79 3.4. KẾT LUẬN CHƢƠNG 3 ....................................................................................... 84 iv CHƢƠNG 4 NGHIÊN CỨU SỰ HÌNH THÀNH CẤU TRÚC NANO MỘT CHIỀU ZnS/ZnO BẰNG PHƢƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT THEO CƠ CHẾ HƠI - RẮN VÀ QUÁ TRÌNH CHUYỂN PHA ZnSZnO BẰNG PHƢƠNG PHÁP ÔXY HÓA NHIỆT ... 85 Tóm tắt ............................................................................................................................... 85 4.1. GIỚI THIỆU ........................................................................................................... 86 4.2. THỰC NGHIỆM .................................................................................................... 87 4.3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN ................................................................................ 88 4.3.1. Các cấu trúc nano một chiều ZnS nhận được sau khi nuôi bằng phương pháp bốc bay nhiệt theo cơ chế VS ...................................................................................... 88 4.3.2. Nghiên cứu quá trình chuyển pha ZnSZnO trong môi trường không khí và nguồn ngốc của đỉnh phát xạ màu xanh lục (green)trong các cấu trúc một chiều ZnS 93 4.3.3. Nghiên cứu các cấu trúc nano dị thể một chiều ZnS/ZnO và quá trình chuyển pha ZnS  ZnO bằng phương pháp ôxy hóa nhiệt sau khi nuôi trong môi trường khí ôxy ............................................................................................................................. 100 4.4. KẾT LUẬN CHƢƠNG 4 ..................................................................................... 107 CHƢƠNG 5 CHẾ TẠO VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC NANO MỘT CHIỀU ZnS, ZnS/ZnO PHA TẠP Mn2+ ..................................................................................... 109 Tóm tắt ............................................................................................................................. 109 5.1. GIỚI THIỆU ......................................................................................................... 110 5.2. THỰC NGHIỆM .................................................................................................. 111 5.2.1. Chế tạo các cấu trúc một chiều ZnS pha tạp Mn sau khi nuôi ........................ 112 5.2.2. Chế tạo các cấu trúc một chiều ZnS pha tạp Mn bằng cách bốc bay đồng thời ZnS và MnCl2 ............................................................................................................ 112 5.3. KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN .............................................................................. 114 5.3.1. Các cấu trúc nano một chiều ZnS:Mn2+ chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt kết hợp với khuếch tán nhiệt trong môi trường khí Ar ..................................... 114 5.3.2. Khảo sát cấu trúc, tính chất quang của các cấu trúc nano một chiều ZnS pha tạp Mn2+ bằng phương pháp bốc bay nhiệt đồng thời nguồn vật liệu ZnS và MnCl2 ..... 120 5.4. KẾT LUẬN CHƢƠNG 5 ..................................................................................... 127 KẾT LUẬN LUẬN ÁN ................................................................................................... 129 DANH MỤC CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ CÔNG BỐ CỦA LUẬN ÁN ......................... 131 TÀI LIỆU THAM KHẢO............................................................................................... 132 v DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CHỮ VIẾT TẮT Ký hiệu aB D3, D2, D1, D0 E Ec ED, EA Eexc Eg(∞) Eg(NPs) Ep Ev EW f I (hν) Kx, Ky, Kz me mh U(0) α ΔE λ, λexc, λem μ ν Chữ viết tắt A CB CNT CRT CVD D DA, DD EDX Tên tiếng Anh Tên tiếng Việt Bohr exciton radius Density of states Bán kính Bohr exciton Mật độ trạng thái của vật rắn 3, 2, 1 và 0 chiều Energy Năng lượng Conduction band edge Năng lượng đáy vùng dẫn Energy of donor and acceptor Năng lượng của mức đono, acepto level Energy of exciton Năng lượng exciton Bandgap of bulk semiconductor Năng lượng vùng cấm bán dẫn khối Bandgap energy of a Năng lượng vùng cấm của hạt nano nanoparticles Energy of photon Năng lượng photon Valence band edge Năng lượng đỉnh vùng hóa trị Energy of electron in a potential Năng lượng của điện tử trong giếng well thế Exciton oscillator strength Lực dao động exciton Intensity of luminescence Cường độ huỳnh quang Wave vector Vectơ sóng trên trục x, y, z Effective mass of electron Khối lượng hiệu dụng của điện tử Effective mass of hole Khối lượng hiệu dụng của lỗ trống Overlap factor between Hệ số chồng chập của hàm sóng điện eclectron and hole wave tử và lỗ trống functions Absorption coefficient Hệ số hấp thụ Transition energy Năng lượng chuyển tiếp Wavelength, Excitation and Bước sóng, bước sóng kích thích và emission Wavelength phát xạ Transition dipole moment Môment lưỡng cực chuyển tiếp Frequency Tần số Tên tiếng Anh Acceptor Conduction band Carbon nano-tubes Cathode ray tube Chemical vapor deposition Donor Deep Acceptor, Deep Donor Energy dispersive x-ray vi Tên tiếng Việt Acepto Vùng dẫn Ống nano cacbon Ông tia catốt Lắng đọng pha hơi hóa học Đono Acepto sâu, Đono sâu Phổ tán sắc năng lượng tia x FCC FESEM GB GO HOMO LO LUMO NBE PL CL PLE RE RT TEM TM TO VB VLS VS XRD spectroscopy Face center cubic Field emission scanning electron microscopy Green-Blue Green-Orange Highest occupied molecular orbital Longitude optical Lowest unoccupied molecular orbital Near Band Edge emission Photoluminescence spectrum Cathodoluminescence Photoluminescence excitation spectrum Rare Earth Room temperature Transmission electron microscope Transition metal Transverse optical Valence band Vapor liquid solid Vapor solid X-ray Diffraction vii Lập phương tâm mặt Hiển vi điện tử quét phát xạ trường Xanh lục-Xanh lam Xanh lục- Cam Quỹ đạo phân tử bị chiếm cao nhất Phonon quang dọc Quỹ đạo phân tử không bị chiếm thấp nhất Phát xạ bờ vùng Phổ huỳnh quang Phổ huỳnh quang catốt Phổ kích thích huỳnh quang Đất hiếm Nhiệt độ phòng Hiển vi điện tử truyền qua Kim loại chuyển tiếp Phonon quang ngang Vùng hóa trị Hơi-lỏng-rắn Hơi-rắn Nhiễu xạ tia x DANH MỤC BẢNG BIỂU Bảng 1.1. Sự liên quan giữa kích thước và số nguyên tử ở tại bề mặt ................................. 9 Bảng 1.2. Bảng thống kê các công nghệ chế tạo các cấu trúc dây/thanh nano ZnS, vùng nhiệt độ phản ứng và các tài liệu tham khảo tương ứng ..................................... 17 Bảng 1.3. Bảng thống kê các phương pháp chế tạo các cấu trúc nano ZnS dạng đai, băng, và tấm nano, nhiệt độ phản ứng và các tài liệu tham khảo tương ứng ................ 20 Bảng 1.4. Bảng thống kế một số phương pháp thực nghiệm tính chất quang của vật liệu theo các cơ chế kích thích khác nhau .................................................................. 20 Bảng 1.5. Bảng tổng hợp một số thông tin về tính chất huỳnh quang của các cấu trúc nano một chiều ZnS và các tài liệu tham khảo tương ứng ........................................... 24 Bảng 1.6. Các tính chất huỳnh quang catốt của các cấu trúc nano ZnS một chiều ............. 26 Bảng 1.7. Vị trí và nguồn gốc đề xuất của các phát xạ liên kết exciton trong ZnO (tại nhiệt độ thấp) ............................................................................................................... 29 Bảng 1.8. Vị trí và nguồn gốc của các phát xạ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng trong ZnO và các tài liệu tham khảo tương ứng ................................................................... 32 Bảng 1.9. Các phương pháp chế tạo các cấu trúc một chiều đồng trục lõi và vỏ ZnS và tài liệu tham khảo tương ứng ................................................................................... 36 Bảng 1.10. Các phương pháp chế tạo các cấu trúc dị thể một chiều cạnh - cạnh của ZnS (ZnS-side-by-side heterostructures) .................................................................... 37 Bảng 3.1 Một số tính chất vật lý cơ bản của ZnS và ZnO ................................................... 61 DANH MỤC HÌNH VẼ Hình 1.1. Các loại vật liệu nano: (0D) hạt nano hình cầu, cụm nano; (1D) dây, thanh nano; (2D) màng, đĩa và lưới nano; (3D) vật liệu khối................................................... 5 Hình 1.2. Mật độ trạng thái của nano tinh thể bán dẫn. Mật độ trạng thái bị gián đoạn ở vùng bờ. Khoảng cách HOMO-LUMO gia tăng ở nano tinh thể bán dẫn khi kích thước nhỏ đi .......................................................................................................... 7 Hình 1.3. Sơ đồ minh họa hình thái khác nhau cấu trúc nano 1D và các thuật ngữ thường được sử dụng để mô tả chúng: (a) dây nano (NWS), dây hoặc sợi nano, (b) thanh nano (NRs); (c) đai (NBS) hoặc dải nano và (d) các ống nano (NT) ................. 10 Hình 1.4. Giản đồ minh họa quá trình mọc dây Si từ giản đồ pha nhờ giọt hợp kim xúc tác Au-Si. (a) Giọt hợp kim Au-Si hình thành trên đế Si đóng vai trò xúc tác mọc dây; (b) Giản đồ pha của Au-Si; (c) quá trình khuếch tán và hình thành dây nano của vật liệu nguồn qua giọt lỏng ......................................................................... 12 Hình 1.5. Các mô hình khuếch tán khác nhau cho các nguyên tử vật liệu nguồn kết hợp trong quá trình mọc dây nano ban đầu: (a) Cơ chế VLS cổ điển; (b) Giọt hợp kim lỏng ở trạng thái nóng chảy một phần, bề mặt và giao diện của nó ở trạng thái lỏng trong khi bên trong lõi ở trạng thái rắn; (c) Kim loại xúc tác ở trạng thái rắn nhưng bề mặt giao diện ở trạng thái lỏng .............................................. 13 Hình 1.6. Sơ đồ mô hình minh họa quá trình mọc của (a) dây nano và (b) đai nano ZnO . 14 viii Hình 1.7. (a) Mọc dị hướng từ ZnO tinh thể; (b) Mọc dị hướng của tinh thể ZnO do lệch xoắn; (c) Mọc do song tinh; (d) Mọc dây nano ZnO tự xúc tác bằng giọt lỏng Zn; (e) Dây nano tinh thể ZnO không chứa hạt xúc tác và khuyết tật; (f) Dây nano ZnO mọc do sự lệch mạng; (g) Mọc lưỡng tinh thể do song tinh; (h) Zn hoặc pha giàu Zn quan sát được trên đầu mút của dây nano ZnO ..................................... 14 Hình 1.8. Các loại cấu trúc dị thể một chiều ....................................................................... 16 Hình 1.9. Một số hình thái điển hình của cấu trúc nano ZnS một chiều đã được chế tạo ... 16 Hình 1.10. (a) Ảnh SEM của dây nano ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt bột ZnS trên đế Si/Au; (b) dây nano được mọc theo cơ chế VLS từ nguồn phân tử tiền chất và hạt xúc tác vàng;(c và d) Ảnh HRTEM của dây nano ZnS thang đo 10 nm .................................................................................................................. 18 Hình 1.11. (a và b) Ảnh SEM của băng nano ZnS chế tạo bằng phương pháp bốc bay có sự hỗ trợ của khí hydro; (c và d) ảnh TEM, phổ EDS, và ảnh HRTEM các băng nano ZnS ............................................................................................................. 19 Hình 1.12. (a) ảnh SEM và (b) phổ PL của nanoawls ZnS; (c) ảnh TEM và (d) phổ PL của ZnS nanobelts...................................................................................................... 21 Hình 1.13. (a-d) ảnh SEM của thanh, dây, đai và băng nano ZnS hình thành trong bốn vùng nhiệt độ khác nhau, tương ứng; (e) phổ huỳnh quang của các cấu trúc nano ZnS22 Hình 1.14. (a) ảnh TEM và HRTEM của dây nano ZnS; (b) phổ PL của dây nano ZnS đo tại RT và được kích thích bởi nguồn laser xung (266 nm); (c) Ảnh SEM và TEM của dây nano cặp tuần hoàn ZnS; (d) phổ PL tại RT của bột nano ZnS và dây nano cặp tuần hoàn ZnS ............................................................................... 23 Hình 1.15. (a) Ảnh TEM, (b) ảnh HRTEM, (c) giản đồ SEAD của các đai nano ZnS, (d) Mô hình cấu trúc một đai nano; (e) ảnh SEM của một đai nano ZnS và (f) ảnh phổ CL; (g) phổ CL ghi lại từ đai nano ZnS nhìn thấy trong hình ảnh SEM (e), (h) phổ CL đươc chụp lại tại các điểm khác nhau trên đai nano dọc theo đường đánh dấu (e) ......................................................................................................... 25 Hình 1.16. Các cấu trúc nano ZnO được tổng hợp trong các điều kiện có kiểm soát bằng phương pháp bốc bay nhiệt ................................................................................. 26 Hình 1.17. Sơ đồ hình thành các hình thái của ZnO, cho thấy mặt của các đơn tinh thể .... 27 Hình 1.18. Ảnh SEM của một dây nano ZnO ..................................................................... 27 Hình 1.19. (a) Phổ PL gần bờ vùng (NBE) của một dây nano ZnO đo ở 10K; (b) Phổ PL NBE phụ thuộc vào nhiệt độ; (c) Vị trí các đỉnh phổ phát xạ của các exciton tự do phụ thuộc vào nhiệt độ, đường nét liền là đường fit theo hàm Varshni......... 27 Hình 1.20. Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào nhiệt độ của một dây nano ZnO .................... 29 Hình 1.21. Giản đồ phát xạ vùng UV và ba đỉnh phát xạ vùng nhìn thấy........................... 29 Hình 1.22. Phác thảo vùng năng lượng của các dây nano ZnO với ba loại vùng nghèo bề mặt khác nhau: (a) dây nano bị làm nghèo hoàn toàn, chỉ còn lại các tâm VO + và VO ++ trong dây nano; (b) dây nano một phần cạn kiệt. Tâm VO ++có thể tồn tại trong vùng nghèo, và VO + và VO x có thể tồn tại trong vùng không nghèo; (c) dây nano với nồng độ điện tử cao có một bề mặt nghèo với độ rộng nhỏ. Chỉ tâm VO ++ tồn tại trong vùng nghèo. Nồng độ hạt tải lớn làm cho mức Fermi cao hơn ix mức VO + và tất cả các VO + được lấp đầy và chỉ có tâm VOx tồn tại trong vùng không nghèo ........................................................................................................ 31 Hình 1.23. Hình minh họa sự ghép nối của các cấu trúc nano một chiều ZnS riêng lẻ trong các cấu trúc nano phức tạp .................................................................................. 33 Hình 1.24. (a và b) Ảnh SEM, (c) ảnh TEM và (d) ảnh HRTEM của BN được tráng phủ ZnS nanoarchitectures, Ví dụ: cấu trúc nano lõi/vỏ ZnS/BN ............................. 33 Hình 1.25. Ảnh TEM của đai nano ZnO (a) trước và (b) sau khi phản ứng với H2S, cho thấy sự hình thành của ZnO/ZnS cấu trúc nano lõi/vỏ; (c) ZnO/ZnS nanocable với lớp vỏ ZnS bị hỏng và (d) giản đồ SAED tương ứng ghi lại từ vị trí này, cho thấy sự hiện diện của một lõi đơn tinh thể ZnO và ZnS vỏ cấu trúc nano; (e, f) phổ EDS thu được từ các vùng chỉ định ở (c) ..................................................... 34 Hình 1.26. (a-c) Ảnh TEM đặc trưng của hai cấu trúc dị thể mới đai nano hai trục ZnS/ZnO; (d-f) ảnh HRTEM được ghi nhận từ cạnh ZnO, cạnh ZnS và mặt tiếp giáp của đai nano dị thể tinh thể ZnS/đơn tinh thể ZnO; (g, h) mô hình cấu của các mặt tiếp giáp của WZ-ZnS/ZnO và ZB-ZnS/ZnO được đánh dấu bằng ''I1'' và "I2" trong hình (f) ........................................................................................... 37 Hình 1.27. Phổ huỳnh quang của cấu trúc dị thể ZnS/ZnO ................................................. 38 Hình 1.28. Phổ huỳnh quang của cấu trúc dị thể ZnS/ZnO đo ở nhiệt độ thấp (30 K) ....... 38 Hình 1.29. Ảnh thiết bị đo ảnh FESEM được tích hợp với đầu đo EDS và phổ CL ........... 38 Hình 1.30. Hệ đo hệ đo phổ huỳnh quang, kích thích huỳnh quang (NanoLog spectrofluorometer, HORIBA Jobin Yvon) ........................................................ 40 Hình 1.31. Ảnh đầu đo CL được tích hợp trong thiết bị đo FESEM JEOL/JSM-7600F (a) và sơ đồ nguyên lý của thiết bị đo (b) ................................................................. 40 Hình 2.1. Sơ đồ chế tạo các cấu trúc 1D ZnS và ZnS/ZnO bằng phương pháp bốc bay nhiệt và ôxy hóa nhiệt trong môi trường không khí..................................................... 43 Hình 2.2. Sơ đồ hệ lò ống nằm ngang (a); quy trình thực nghiệm chế tạo các cấu trúc nano tinh thể ZnS một chiều bằng phương pháp bốc bay nhiệt theo cơ chế VLS (b); Hệ bốc bay nhiệt thực tế (c) ................................................................................ 44 Hình 2.3. Ảnh FESEM của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi bằng phương pháp bốc bay nhiệt .............................................................................................................. 45 Hình 2.4. Phổ nhiễu xạ tia X của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi ........................... 46 Hình 2.5. Phổ huỳnh quang được kích thích bởi bước sóng 325 nm và phổ kích thích huỳnh quang của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi đo tại bước sóng 512 nm46 Hình 2.6. Ảnh FESEM của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi trên đế Si phủ kim loại xúc tác vàng (a) và các mẫu được ôxy hóa sau khi nuôi trong môi trường không khí tại các nhiệt độ khác nhau: (b) 300 °C; (c) 500 °C; (d) 700 °C .................... 48 Hình 2.7. Ảnh TEM của dây nano ZnS/ZnO nhận được sau khi ôxy hóa dây nano ZnS tại nhiệt độ (a) 300 oC; (b) 500 oC; (d) 700 oC ......................................................... 48 Hình 2.8. Phổ nhiễu xạ tia X của dây nano ZnS/ZnO sau khi đã ôxy hóa trong không khí ở nhiệt độ 400, 600 và 800 oC trong thời gian 1 giờ .............................................. 49 Hình 2.9. Phổ huỳnh quang của dây nano ZnS và dây nano ZnS ôxy hóa trong không khí ở nhiệt độ 400, 600 oC nhận được khi kích thích mẫu bằng laser He-Cd bước sóng 325 nm ở nhiệt độ phòng .................................................................................... 50 x Hình 2.10. Phổ huỳnh quang của ba mẫu nhận được sau khi ôxy hóa dây nano ZnS tại 300 °C, 500 °C và 700 °C .......................................................................................... 51 Hình 2.11. Phổ kích thích huỳnh quang (PLE) nhận được của mẫu sau khi ôxy hóa dây nano ZnS tại nhiệt độ 300 oC .............................................................................. 52 Hình 2.12. Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào nhiệt độ của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi được kích thích bởi bước sóng 325 nm của hệ laser He-Cd ....................... 53 Hình 2.13. Phổ huỳnh quang đo tại nhiệt độ 4 K của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi và sau khi ôxy hóa tại các nhiệt độ 300, 500, 600, 800 oC trong thời gian 1 giờ được kích thích bởi bước sóng 325 nm của hệ He-Cd với công suất kích thích 158W/cm2 ........................................................................................................... 54 Hình 2.14. Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào nhiệt độ của dây nano ZnS sau khi ôxy hóa tại nhiệt độ 800 oC.................................................................................................... 55 Hình 2.15. Ảnh mapping EDS, ảnh mapping thành phần các nguyên tố Zn, S, O, Si và phổ EDS chứa bảng phần trăm theo nguyên tử của các thành phần nguyên tố hóa học của dây nano ZnS nhận được sau khi ôxy hóa tại 500 oC trong thời gian 1 giờ . 56 Hình 2.16. Ảnh FESEM (a); Ảnh FESEM-CL được đánh dấu vị trí đo (Spot 1) (b); Phổ huỳnh quang catốt tại chế độ đo toàn phổ và các đường FIT màu tại vị trí các đỉnh phát xạ 337, 400, 515 nm và đường cong sau khi FIT các đỉnh (c); Phổ huỳnh quang catốt tại chế độ đo toàn phổ và trên một Spot được đánh dấu trong ảnh FESEM-CL (d) ............................................................................................. 57 Hình 2.17. Ảnh FESEM-CL (a); Phổ huỳnh quang catốt tại chế độ đo toàn phổ của dây nano ZnS sau khi ôxy hóa tại nhiệt độ 800 oC trong môi trường không khí trong thời gian 1 giờ (b) ............................................................................................... 58 Hình 3.1. (a) Sơ đồ minh họa dây nano nanolaser được mọc trên đế sapphire; (b)Ảnh FESEM của mảng dây nano ZnO; (c) Phổ phát xạ huỳnh quang của dây nano ZnO nanolaser dưới và trên ngưỡng phát laser; (d) Cường độ phát xạ của dây nano ZnO phụ thuộc vào năng lượng nguồn kích thích (bước sóng 266nm) tại nhiệt độ phòng..................................................................................................... 63 Hình 3.2. (a) Ảnh SEM của các dây nano ZnS được mọc trên đế anode ôxít nhôm được phủ lớp kim loại xúc tác vàng trong thời gian 30 phút bằng phương pháp điện hóa; (b) Phổ huỳnh quang của dây nano ZnS tại nhiệt độ phòng được kích thích bởi nguồn laser bước sóng 266 nm với mật độ công suất laser tăng 80-170 kW/cm 2 .............................................................................................................. 63 Hình 3.3. Sơ đồ phân bố vùng nhiệt độ đặt đế trong lò và ảnh FESEM của các nano tinh thể ZnS một chiều tại các vùng nhiệt độ đặt đế khác nhau ................................. 65 Hình 3.4. Phổ nhiễu xạ tia X (XRD) của đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi ................ 66 Hình 3.5. Ảnh FESEM (a) và phổ EDS (b) của đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi ..... 67 Hình 3.6. Phổ huỳnh quang (PL) và phổ kích thích huỳnh quang (PLE) tại nhiệt độ phòng của dây, đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi................................................... 68 Hình 3.7. Ảnh FESEM-CL được đánh dấu các vị trí đo phổ CL (Spot 1, 2, 3) (a); Phổ huỳnh quang catốt (CL-cathodoluminescence) chế độ toàn phổ (b); Phổ huỳnh quang catốt tại vị trí 1 (SPOT 1) được FIT theo hàm GAUSS tại 5 đỉnh phát xạ xi 337, 370, 440, 520 và 600 nm (c); Phổ CL tại các vị trí khác nhau được đánh dấu trên ảnh FESEM-CL (d) của các đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi ............ 69 Hình 3.8. Phổ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng của đai nano ZnS nhận được sau nuôi được kích thích bởi nguồn laser xung bước sóng 266 nm của hệ Nd: YAG ............... 71 Hình 3.9. Phổ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng của đai nano ZnS nhận được sau nuôi được kích thích bởi nguồn laser xung bước sóng 266 nm của hệ Nd: YAG với các công suất kích thích khác nhau ........................................................................... 72 Hình 3.10. Phổ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng của đai nano ZnS nhận được sau nuôi được kích thích bởi nguồn laser xung bước sóng 266 nm của hệ Nd:YAG với các công suất khác nhau (a); Cường độ các đỉnh phát xạ của các chuyển mức phát xạ gần bờ vùng (NBE) của ZnS phụ thuộc vào mật độ công suất nguồn phát xạ laser (b)73 Hình 3.11. Ảnh FESEM dây nano ZnS nhận được sau khi bị ôxy hóa trong khi nuôi tại nhiệt độ 800 oC (a); 1150 oC (b) trong thời gian 30 phút; (c) và (d) là phổ EDS được phân tích tại đỉnh mầm ZnO và tại thân dây ZnS ban đầu của mẫu ôxy hóa tại nhiệt độ 1150 oC............................................................................................. 74 Hình 3.12. Phổ XRD của dây nano, đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi và sau khi ôxy hóa ở các nhiệt độ 500, 600 và 800 oC trong thời gian 30 phút trong môi trường khí ôxy trong khi nuôi ......................................................................................... 76 Hình 3.13. Phổ Raman đo tại nhiệt độ phòng của dây nano tinh thể ZnS trước và sau khi ôxy hóa ở các nhiệt độ 800 oC và 900 oC ............................................................ 77 Hình 3.14. Phổ huỳnh quang và kích thích huỳnh quang đo tại nhiệt độ phòng của dây nano ZnS trước và sau khi ôxy hoá ..................................................................... 77 Hình 3.15. Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào nhiệt độ của mẫu ZnS ôxy hóa trong khi nuôi tại nhiệt độ 1150 oC trong thời gian 30 phút ....................................................... 78 Hình 3.16. Ảnh FESEM được đánh dấu 2 vị trí đo phổ CL (a) và phổ CL được đánh dấu trên ảnh FESEM của mẫu được ôxy hóa trong khi nuôi tại nhiệt độ 1150 oC trong thời gian 30 phút (b) .................................................................................. 79 Hình 3.17. Phổ PL tại nhiệt độ phòng của các nano tinh thể một chiều ZnS sau khi nuôi (1); sau khi ôxy hóa trong môi trường khí ôxy sau khi nuôi tại nhiệt độ 600 oC (2), 800 oC (3) trong thời gian 30 phút được kích thích bởi nguồn laser xung, bước sóng 266 nm của hệ laser Nd:YAG ........................................................... 80 Hình 3.18. Phổ huỳnh quang của các dây, đai nano ZnS sau khi ôxy hóa tại nhiệt độ 600 o C trong thời gian 30 phút trong môi trường khí ôxy ......................................... 81 Hình 3.19. Phổ huỳnh quang tại nhiệt độ phòng của các dây, đai nano ZnO nhận được sau khi ôxy hóa sau khi nuôi tại nhiệt độ 800 oC trong thời gian 30 phút ................ 82 Hình 3.20. Phổ huỳnh quang catốt tại nhiệt độ phòng của các đai nano ZnS nhận được sau khi nuôi (a) và sau khi ôxy hóa sau khi nuôi tại nhiệt độ 600 oC trong thời gian 30 phút (b) ........................................................................................................... 83 Hình 4.1. Hình thái của các cấu trúc một chiều theo gradient nhiệt độ đặt đế cách nguồn vật liệu bốc bay: (a) (5 cm); (b) (7 cm); (c) (9 cm)................................................... 88 Hình 4.2. Phổ XRD nhận được từ các thanh micro ZnS sau khi nuôi tại các vị trí đặt đế khác nhau: (a) gần nguồn vật liệu bốc bay nhất (5 cm); (b) cách xa nguồn bốc bay nhất (9 cm) ................................................................................................... 88 xii Hình 4.3. Ảnh FESEM (a); Ảnh mapping điện tử phân bố các thành phần hóa học (b); và các ảnh mapping theo các thành phần nguyên tố hóa học (c-e); phổ mapping EDS (f) ................................................................................................................ 90 Hình 4.4. Ảnh FESEM (a); phổ EDS tại các vị trí các nhau trên thanh micro ZnS nhận được sau khi nuôi tại vị trí đặt đế xa nguồn bốc bay nhất (9 cm) (b-d) .............. 91 Hình 4.5. Ảnh FESEM-CL và phổ CL của các thanh micro ZnS/ZnO (a), (b); thanh micro ZnS nhận được sau khi nuôi (c), (d) ................................................................... 92 Hình 4.6. Ảnh FESEM (a); phổ EDS (b); ảnh FESE -CL(c) và phổ CL (d) của dây nano ZnS nhận được sau khi nuôi bằng phương pháp bốc bay nhiệt theo cơ chế VS sử dụng đế Si/Au ..................................................................................................... 94 Hình 4.7. Ảnh FESEM của thanh micro ZnS (a); dây nano ZnS (b) nhận được sau khi ôxy hóa trong môi trường không khí tại các nhiệt độ 100, 300, 500, 600 oC trong thời gian 30 phút ......................................................................................................... 95 Hình 4.8. Bảng ghi nhận thành phần hóa học và đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của thành phần phần trăm theo nguyên tử của các nguyên tố hóa học vào nhiệt độ ôxy hóa: (a) thanh micro ZnS (vị trí spot 2) và (b) dây nano (đo trong vùng) nhận được sau khi nuôi và sau khi ôxy hóa ở các nhiệt độ 100, 300, 500, 600 và 700 oC ... 96 Hình 4.9. Phổ CL của thanh micro ZnS: (a) toàn phổ, (b) tập trung vào vùng UV; dây nano ZnS; (c) toàn phổ, (b) phổ tập trung vào vùng UV nhận được sau khi nuôi và sau khi ôxy hóa trong môi trường không khí tại các nhiệt độ 100, 300, 500, 600, 700 oC trong thời gian 30 phút ............................................................................ 97 Hình 4.10. Ảnh FESEM của thanh micro nhận được sau khi ôxy hoá thanh micro ZnS trong môi trường khí ôxy tại các nhiệt độ 500, 600, 700 oC trong thời gian 30 phút ................................................................................................................... 100 Hình 4.11. Phổ XRD của thanh micro ZnS nhận được sau khi nuôi và sau khi ôxy hóa tại các nhiệt độ khác nhau ...................................................................................... 101 Hình 4.12. Ảnh FESEM-CL của thanh micro ZnS nhận được sau khi nuôi (a); sau khi ôxy hóa tại nhiệt độ 900 oC trong thời gian 30 phút (b) và phổ CL đo ở chế độ toàn phổ (với điều kiện đo không đổi) của thanh micro ZnS nhận được sau khi nuôi và sau khi ôxy hóa tại nhiệt độ 500, 600, 700, 800, 900 oC trong thời gian 30 phút ................................................................................................................... 102 Hình 4.13. (a) Ảnh FESEM-EDS, (b) phổ EDS đo tại một vùng nhỏ được đánh dấu trên ảnh FESEM-EDS, (c) Ảnh FESEM-CL tại vị trí đo EDS, (d) phổ CL đo tại vị trí đánh dấu trên ảnh FESEM-CL của thanh micro ZnS sau khi ôxy hóa ở nhiệt độ 900 oC trong thời gian 30 phút .......................................................................... 104 Hình 4.14. Phổ huỳnh quang phụ thuộc vào bước sóng kích thích (a); sự phụ thuộc của cường độ đỉnh phát xạ 515 nm vào bước sóng kích thích (b); phổ huỳnh quang ở chế độ đo 3D (c) và ảnh phổ huỳnh quang phụ thuộc vào bước sóng kích thích (d) ...................................................................................................................... 105 Hình 4.15. Phổ PL đo tại nhiệt độ phòng được kích thích bằng laser bước sóng 266 nm (Nd:YAG): Thanh nano ZnS nhận được sau khi nuôi (1); Sau khi ôxy hóa thanh nano ZnS trong môi trường khí ôxy trong thời gian 30 phút tại nhiệt độ: 500 oC (2); 600 oC (3); 700 oC (4) ................................................................................ 106 xiii Hình 5.1. Sơ đồ mô tả quá trình thực nghiệm chế tạo các cấu trúc nano ZnS: Mn một chiều bằng phương pháp bốc bay nhiệt từ hai nguồn vật liệu có nhiệt độ nóng chảy khác nhau (1), (2) và quy trình thực nghiệm chế tạo nano tinh thể ZnS: Mn một chiều (3) ............................................................................................................ 113 Hình 5.2. Ảnh FESEM hình thái bề mặt của các cấu trúc nano ZnS một chiều nhận được sau khi nuôi tại các vùng nhiệt độ đặt đế khác nhau: (a) các đai nano ZnS (cách nguồn bốc bay 5 cm); (b) vùng xen lẫn giữa các dây và đai nano ZnS (cách nguồn bốc bay 7cm); (c) các dây nano ZnS (cách nguồn bốc bay 9 cm) ......... 114 Hình 5.3. Phổ huỳnh quang của các cấu trúc nano một chiều ZnS nhận được sau khi nuôi được kích thích bởi bước sóng 325 nm của đèn Xe .......................................... 115 Hình 5.4. (a-b) là phổ huỳnh quang của dây nano ZnS được khuếch tán ion Mn2+ tại nhiệt độ 300 oC trong thời gian 45 phút và giản đồ năng lượng ZnS-Mn; (c-d) là phổ huỳnh quang của dây nano ZnS được khuếch tán ion Mn2+ tại nhiệt độ 400 oC trong thời gian 45 phút và phổ EDS tương ứng; (e-f) ) là phổ huỳnh quang của dây nano ZnS được khuếch tán ion Mn2+ tại nhiệt độ 500 oC trong thời gian 45 phút và phổ EDS tương ứng.............................................................................. 116 Hình 5.5. Ảnh FESEM (a) và phổ EDS (b) của dây nano ZnS sau khi được khuếch tán ion Mn2+ bằng phương pháp khuếch tán nhiệt tại nhiệt độ 600 oC trong thời gian 45 phút ................................................................................................................... 118 Hình 5.6. Phổ PL của dây nano ZnS ủ nhiệt tại nhiệt độ 400 oC trong thời gian 45 phút (không có nguyên tử tạp Mn và O) (1), Khuếch tán ion Mn2+ sử dụng muối MnCl2 không phủ trực tiếp lên đế (để nguồn tạp và đế cách nhau khoảng 1 cm) (2), phủ trực tiếp muối MnCl2 lên đế (3) .......................................................... 119 Hình 5.7. (a) Phổ PL của các cấu trúc nano ZnS một chiều được khuếch tán ion Mn2+ tại nhiệt độ 400 oC với thời gian khuếch tán khác nhau; (b) Vị trí đỉnh phát xạ màu vàng phụ thuộc vào thời gian khuếch tán và nồng độ ion Mn2+ trong mạng nền ZnS được phân tích bằng phổ EDS ................................................................... 119 Hình 5.8. Các cấu trúc nano 1D ZnS: Mn2+ nhận được sau khi nuôi trên đế Si/Au bằng phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng hai nguồn bốc bay là bột ZnS và muối MnCl2 tại các vùng nhiệt độ đặt đế khác nhau: (a) Các đai nano ZnS: Mn2+cách nguồn vật liệu 5 cm; (b) vùng chứa dây, đai nano cách nguồn bốc bay 7 cm; (c) vùng chứa các dây nano cách nguồn bốc bay 9 cm .......................................... 120 Hình 5.9. Các thanh nano ZnS: Mn2+ nhận được sau khi nuôi trên đế Si/SiO2 bằng phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng nguồn bốc bay là bột ZnS và muối MnCl2 với độ phân giải khác nhau .......................................................................................... 120 Hình 5.10. Phổ nhiễu xạ tia X của các cấu trúc nano một chiều ZnS: Mn2+ nhận được sau khi nuôi: (a) trên đế Si phủ kim loại xúc tác vàng; (b) trên đế Si/SiO2 ............ 121 Hình 5.11. Phổ huỳnh quang (PL) và phổ kích thích huỳnh quang (PLE) của dây nano ZnS: Mn2+ bằng phương pháp bốc bay bột ZnS và muối MnCl2 tại nhiệt độ 1150 oC trong thời gian 45 phút ...................................................................................... 122 Hình 5.12. Phổ PL của các cấu trúc nano một chiều ZnS (1); dây nano (2); dây và đai nano (3) và đai nano (4) ZnS: Mn2+........................................................................... 123 Hình 5.13. Phổ huỳnh quang phụ thuộc nhiệt độ của các đai nano ZnS: Mn2+................. 123 xiv Hình 5.14. Phổ huỳnh quang catốt (CL) ở chế độ đo toàn phổ được thực hiện trên dây nano (a); đai nano ZnS: Mn2+(b)................................................................................ 124 Hình 5.15. Ảnh FESEM của các đai nano ZnS: Mn2+ (a); phổ EDS tại các vị trí được đánh dấu trên ảnh FESEM (c-d) ................................................................................ 125 Hình 5.16. Ảnh FESEM, ảnh FESEM-CL được đánh dấu vị trí các điểm đo CL (spot 1-3) (a); phổ CL tại các vị trí đánh dấu (b) ............................................................... 125 Hình 5.17. Ảnh FESEM-CL của các dây nano (nanowires) đánh dấu vị trí đo phổ CL tại vị trí 1, 2 tương ứng với Spot 1,2 (a) và phổ CL đo được tại hai vị trí được đánh dấu trên ảnh FESEM-CL (b) ............................................................................. 126 Hình 5.18. Ảnh FESEM, phổ EDS và CL của thanh nano ZnS nhận được ở vị trí cách nguồn bốc bay ~5 cm ........................................................................................ 127 xv MỞ ĐẦU Việc phát hiện ra vật liệu silíc xốp năm 1990 và ống nano cácbon năm 1991 với những tính chất mới, ưu việt cho ứng dụng, mà trước đó không tồn tại trong vật liệu silíc khối hoặc graphite, đã mở ra một kỷ nguyên mới, một làn sóng mới trong nghiên cứu các vật liệu nano cấu trúc một chiều. Trong hơn hai mươi năm qua, các nhà nghiên cứu khoa học và công nghệ trên thế giới đã không chỉ tập trung phát triển các công nghệ để chế tạo các vật liệu cấu trúc một chiều (bằng cả các phương pháp vật lý, kết hợp vật lý và hoá học, và phương pháp tổng hợp hoá học), mà còn nghiên cứu một cách cơ bản nhằm tìm kiếm những tính chất mới ở những cấu trúc vật liệu thấp chiều này. Và hơn nữa, các nhà công nghệ đã bước đầu chế tạo thành công các mẫu ban đầu của máy phát điện nano (nano generator) và các loại pin mặt trời thế hệ mới trên cơ sở sử dụng các vật liệu một chiều như thanh, dây, đai nano. Không nằm ngoài xu hướng này, ZnS – một chất bán dẫn hợp chất (AII - BVI) vùng cấm rộng truyền thống, đã được ứng dụng rộng rãi trong công nghệ chế tạo bột huỳnh quang (phosphors) và trong chế tạo các thiết bị điện huỳnh quang, thiết bị hiển thị, và ZnO- một ôxít bán dẫn phổ biến trong công nghệ hoá mỹ phẩm, trong công nghệ chế tạo cao su, nhựa, sơn, chất kết dính, chất làm trắng; một vật liệu tiềm năng trong công nghiệp điện tử nhằm chế tạo các thiết bị điện tử thế hệ mới trong suốt (transparent electronics), và thân thiện với môi trường (điện cực dẫn điện trong suốt thay thế ITO độc hại)…lại một lần nữa được nghiên cứu ở những cấu trúc mới, dạng thù hình mới là các cấu trúc một chiều. Trong lĩnh vực quang học và quang điện tử, ngoài việc được sử dụng như là những chất huỳnh quang, cả ZnS và ZnO còn được xem như hai ứng cử viên tiềm năng nhất để chế tạo các điốt phát quang tử ngoại (UV - LED) với nhiều ưu điểm như độ rộng khe năng lượng phù hợp (Eg ~3.7 - 3.8 eV đối với ZnS, Eg~3.3 eV đối với ZnO), cấu trúc vùng năng lượng trực tiếp, giá thành rẻ, và thân thiện với môi trường. Chính vì vậy, nghiên cứu về các cấu trúc một chiều ZnS và ZnO, đặc biệt là ZnO đã trở thành một trong những chủ đề được quan tâm nhất trong 10 năm gần đây, mà hệ quả tất yếu của các nghiên cứu này là rất nhiều các dạng thù hình một chiều khác nhau của ZnS và ZnO như thanh nano, đai nano, dây nano, vòng nano…đã được chế tạo bằng nhiều công nghệ khác nhau. Các cấu trúc một chiều ZnS, ZnO cho khả năng phát xạ laser ở nhiệt độ phòng cũng đã được chế tạo thành công trong thực tế. Tuy nhiên, mong muốn của các nhà công nghệ và các nhà ứng dụng không chỉ dừng ở đây, chúng ta có thể dễ dàng nhận ra rằng có một khoảng trống giữa giá trị khe năng 1 lượng (độ rộng vùng cấm) của ZnS và ZnO, nghĩa là từ 3.3 đến 3.7 eV trong thang năng lượng và từ 340 đến 380 nm trong thang bước sóng. Đây cũng chính là vùng bước sóng mà các nhà công nghệ đang kỳ vọng và tìm kiếm những loại vật liệu mới phù hợp để chế tạo các điốt phát quang tử ngoại ứng dụng trong chế tạo điốt phát quang ánh sáng trắng (theo nguyên tắc kích bằng nguồn UV - LED và chuyển đổi sang ánh sáng trắng dùng phosphor (phosphor - converted LED). Về mặt công nghệ chúng ta đều biết rằng, ZnS có thể chuyển đổi thành ZnO rất dễ dàng chỉ bằng cách ôxy hoá. Vậy, vấn đề đặt ra là liệu chúng ta có thể lai hoá ZnS và ZnO để tạo ra những cấu trúc vật liệu mới có độ rộng khe năng lượng nằm giữa độ lớn khe năng lượng của ZnS và ZnO? Liệu chúng ta có thể tạo ra những vật liệu lai ZnS/ZnO cho phát xạ huỳnh quang mạnh trong vùng này ở nhiệt độ phòng; các vật liệu mới này có khả năng phát xạ laser? phát xạ laser ở nhiệt độ phòng?... chính là những câu hỏi đang được đặt ra và chờ lời giải đáp. Cụ thể hơn nữa về tính chất quang của các cấu trúc một chiều ZnS, các kết quả công bố gần đây cho thấy vẫn còn một số tồn tại cả về mặt công nghệ và khoa học như: i) Hầu hết các cấu trúc một chiều ZnS chế tạo được, phát quang trong vùng nhìn thấy (do các sai hỏng nội, trạng thái bề mặt, tạp chất), thay vì phát quang trong vùng tử ngoại (do các chuyển mức gần bờ vùng - NBE) như mong đợi. Việc chế tạo được các cấu trúc một chiều ZnS có chất lượng tinh thể cao, ít sai hỏng, cho phát xạ NBE cường độ mạnh ở nhiệt độ phòng do đó vẫn là một mục tiêu hướng đến đối với các nhà nghiên cứu; ii) Trong phổ huỳnh quang của các cấu trúc một chiều ZnS, luôn tồn tại một dải phát xạ màu xanh lục với cực đại đỉnh nằm trong vùng bước sóng từ 510 - 530 nm. Mặc dù rất nhiều lời giải thích đã được đưa ra như do các tạp chất kim loại (Au, Cu…) trong mạng nền ZnS, do các nút khuyết kẽm (VZn), do các nút khuyết lưu huỳnh (Vs), do các trạng thái bề mặt…, bản chất, nguồn gốc của dải phát xạ này, cho đến nay vẫn cần có một lời giải thích thuyết phục; iii) Nghiên cứu pha tạp nhằm điều khiển các tính chất điện, quang của các cấu trúc một chiều ZnS, ZnO vẫn còn là một hướng nghiên cứu ít được đề cập đến. Trong bối cảnh các vấn đề khoa học và công nghệ được đặt ra như đã trình bày ở trên, với mong muốn đóng góp sức mình vào hiểu biết của nhân loại về các cấu trúc vật liệu thấp chiều đầy hấp dẫn này, từ năm 2009 nghiên cứu sinh cùng với tập thể các thầy hướng dẫn tại Viện Tiên Tiến Khoa học và Công nghệ (AIST) và Viện Đào tạo Quốc tế về Khoa học Vật liệu (ITIMS), trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã cùng tìm hiểu, trao đổithảo luận và lựa chọn đề tài nghiên cứu. Đề tài luận án “Nghiên cứu chế tạo và khảo sát 2 quá trình chuyển pha ZnS/ZnO của các cấu trúc nano ZnS một chiều” đã được lựa chọn và đặt ra các mục tiêu nghiên cứu cụ thể nhƣ sau: - Nghiên cứu phát triển công nghệ chế tạo các cấu trúc một chiều ZnS trên cơ sở phương pháp bốc bay nhiệt nhằm tạo ra các cấu trúc một chiều ZnS có chất lượng tinh thể cao, cho phát xạ NBE cường độ mạnh ngay tại nhiệt độ phòng. Công nghệ phải đảm bảo có độ ổn định, độ lặp lại cao và sử dụng các thiết bị công nghệ phù hợp với điều kiện trong nước; - Sử dụng các cấu trúc nano một chiều ZnS chất lượng cao nhận được sau khi nuôi làm mẫu xuất phát (khuôn) cho nghiên cứu quá trình chuyển pha tinh thể ZnS  ZnO bằng cách ôxy hoá nhiệt trong các môi trường khác nhau là môi trường không khí, môi trường khí ôxy tinh khiết và theo các cách tiếp cận khác nhau như ôxy hoá trong khi nuôi (In - situ oxidation) và ôxy sau khi nuôi (post oxidation); - Nghiên cứu cơ bản các tính chất của các cấu trúc một chiều ZnS, cấu trúc một chiều dị thể (lai) ZnS/ZnO, và cấu trúc một chiều ZnO nhận được bằng cách ôxy hoá các cấu trúc một chiều ZnS nhằm đưa ra lời giải đáp cho: i) Nguồn gốc của dải phát xạ xanh lục (green) ở các cấu trúc một chiều ZnS; Có hay không sự tồn tại của các vật liệu nhân tạo dị thể ZnS/ZnO có độ rộng khe năng lượng nằm giữa giá trị khe năng lượng của ZnS và ZnO; iii) Khả năng phát quang và đặc biệt phát xạ laser ở nhiệt độ phòng của các cấu trúc nano một chiều đề cập ở trên; - Nghiên cứu pha tạp các cấu trúc ZnS một chiều, mà cụ thể là nghiên cứu pha tạp Mn vào các cấu trúc một chiều ZnS chế tạo được theo hai cách tiếp cận khác nhau là khuếch tán sau khi nuôi và bốc bay đồng thời vật liệu nguồn và tạp chất. Với những mục tiêu như trên, phƣơng pháp nghiên cứu lựa chọn của luận án là nghiên cứu thực nghiệm. Công nghệ chế tạo các cấu trúc một chiều ZnS, ZnS/ZnO được phát triển trên cơ sở sử dụng một số hệ thống thiết bị bốc bay nhiệt tại Phòng thí nghiệm nano Quang – Điện tử, Viện Tiến Tiến Khoa học và Công nghệ, Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội. Các phép đo phân tích mẫu chế tạo được thực hiện sử dụng các thiết bị nghiên cứu hiện tại của nhiều đơn vị khác nhau như Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Trường Đại học Gent – Bỉ, Trường Đại học Quốc Gia Hà Nội… Sau 4 năm (11/2009 - 10/2013), nghiên cứu tập trung tại Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, các kết quả nghiên cứu của luận án, được tổng hợp, phân tích và viết thành 5 chương với nội dung và bố cục cụ thể như sau: 3