Tài liệu Giáo trình cấu kiện điện tử ( www.sites.google.com/site/thuvientailieuvip )

HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ Lưu hành nội bộ HÀ NỘI CÊu kiÖn ®iÖn tö LỜI NÓI ĐẦU Tập giáo trình "Cấu kiện điện tử " được biên soạn để làm tài liệu giảng dạy và học tập cho các sinh viên chuyên ngành kỹ thuật Điện tử - Viễn thông, đồng thời giáo trình cũng có thể được sử dụng cho các sinh viên chuyên ngành Công nghệ thông tin, và làm tài liệu tham khảo cho các kỹ sư chuyên ngành Điện tử - Viễn thông. Giáo trình được viết theo chương trình đề cương môn học "Cấu kiện điện tử và quang điện tử" của Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông. Nội dung của giáo trình được trình bày một cách rõ ràng, có hệ thống các kiến thức cơ bản và hiện đại về vật liệu và các cấu kiện điện tử - quang điện tử đang sử dụng trong ngành kỹ thuật điện tử và kỹ thuật viễn thông. Giáo trình "Cấu kiện điện tử" gồm 8 chương. + Chương 1 Giới thiệu chung về cấu kiện điện tử và vật liệu điện tử. Trong chương này đã đưa rađịnh nghĩa và các cách phân loại của cấu kiện điện tử, các đặc tính và các tham số kỹ thuật của các loại vật liệu sử dụng trong kỹ thuật điện tử - viễn thông như chất cách điện, chất dẫn điện, chất bán dẫn và vật liệu từ. + Chương 2 trình bày về các cấu kiện điện tử thụ động như điện trở, tụ điện, cuộn dây và biến áp, cùng các đặc tính và tham số cơ bản của các cấu kiện này, cách nhận biết và cách đọc các tham số của các linh kiện thực tế. + Chương 3 trình bày về điốt bán dẫn. Trong chương này, giáo trình đã nêu lên tính chất vật lý đặc biệt của lớp tiếp xúc P - N, đồng thời trình bày chi tiết về cấu tạo và nguyên lý hoạt động cũng như các đặc tuyến, tham số kỹ thuật của điốt bán dẫn. Ngoài ra, trong chương 3 còn trình bày về các chế độ làm việc của đi ốt bán dẫn và giới thiệu một số loại đi ốt thông dụng và đặc biệt. + Chương 4 trình bày về cấu tạo và nguyờn lý hoạt động của tranzito lưỡng cực (BJT). Đồng thời, trong chương này cũng trình bày cụ thể về ba cách mắc cơ bản của tranzito trong các sơ đồ mạch khuếch đại, các đặc tính và đặc điểm của từng cách mắc. Đồng thời ở chương 4 cũng trình bày về các cách phân cực và các mạch tương đương của tranzito. + Chương 5 giới thiệu chung về tranzito hiệu ứng trường (FET) và phân loại tranzito trường. Trong chương trình bày cụ thể về cấu tạo và nguyện lý hoạt động cũng như các cách phân cực cho tranzito trường loại JFET và MOSFET. + Chương 6 giới thiệu về cấu kiện thuộc họ thyristo như chỉnh lưu silic có điều khiển, triac, diac; nờu cấu tạo và nguyờn lý hoạt động cũng như ứng dụng của chúng. Đồng thời, chương 6 cũng trình bày về cấu tạo và nguyên lý hoạt động của tranzito đơn nối (UJT). + Chương 7 đề cập đến sự phát triển tiếp theo của kỹ thuật điện tử là vi mạch tích hợp. Trong chương này trình bày về khái niệm, phân loại cũng như sơ lược về công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn, là loại vi mạch được sản xuất và sử dụng rộng rãi hiện nay. Ngoài ra, trong chương 4 còn trình bày đặc tính và tham số của trình bày về đặc điểm cũng như tham số của hai loại vi mạch: vi mạch tuyến tính và vi mạch số. Trong đó giới thiệu chi tiết về vi mạch khuếch đại thuật toán (OA), đây là loại vi mạch vạn năng được sử dụng rộng rãi ở nhiều chức năng khác nhau. + Chương 8 trình bày về các cấu kiện quang điện tử. Chương này trình bày khá tỉ mỉ và hệ thống về các loại cấu kiện quang điện tử bán dẫn và không bán dẫn đang được sử dụng trong kỹ thuật điện tử và kỹ thuật viễn thông. Ở đây trình bày về các cấu kiện quang điện tử sử dụng trong kỹ thuật điện tử và thông tin quang: - Các linh kiện phát quang: LED chỉ thị, LED hồng ngoại, LASER, và mặt chỉ thị tinh thể lỏng LCD. 1 CÊu kiÖn ®iÖn tö - Các linh kiện thu quang: điện trở quang, điôt quang, tranzito quang, thyristo quang, tế bào quang điện và pin mặt trời. Trong tập giáo trình này tác giả đã sử dụng nhiều tài liệu tham khảo và biên soạn theo một trật tự logic nhất định. Tuy nhiên, tập giáo trình không tránh khỏi những thiếu sót và hạn chế. Chúng tôi rất mong nhận được sự góp ý của các nhà chuyên môn, các bạn đồng nghiệp và những ai quan tâm đến chuyên ngành này để bổ sung và hoàn chỉnh tập giáo trình "Cấu kiện điện tử" được tốt hơn. Các ý kiến đóng góp xin gửi đến bộ môn Kỹ thuật điện tử - Khoa Kỹ thuật điện tử I, Học viện Công nghệ Bưu chính Viễn thông, km 10 đường Nguyễn Trãi Hà Nội - Hà Đông. Xin chân thành cảm ơn! 2 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn CHƯƠNG 1 GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ GIỚI THIỆU CHƯƠNG Chương 1 giới thiệu khái niệm chung về cấu kiện điện tử, giúp cho sinh viên chuyên ngành Điện tử Viễn thông có khái niệm ban đầu bao quát về những linh kiện điện tử được sử dụng trong các mạch điện tử. Đồng thời trong chương 1 cũng giới thiệu về các đặc tính vật lý điện của các vật liệu cơ bản dùng trong kỹ thuật điện tử. Học xong chương 1, sinh viên phải nắm được khái niệm chung về cấu kiện điện tử, khái niệm sơ bộ về mạch điện điện tử. Sinh viên cũng phải hiểu được các đặc tính kỹ thuật của các loại vật liệu dùng trong lĩnh vực kỹ thuật điện tử, một số loại vật liệu thông dụng thường dùng và ứng dụng chúng. NỘI DUNG 1.1. GIỚI THIỆU CHUNG Cấu kiện điện tử là môn học về cấu tạo, nguyên lý hoạt động và một số ứng dụng của các linh kiện được sử dụng trong các mạch điện tử để thực hiện một chức năng kỹ thuật nào đó của một bộ phận trong một thiết bị điện tử chuyên dụng cũng như thiết bị điện tử dân dụng. Cấu kiện điện tử có rất nhiều loại thực hiện các chức năng khác nhau trong mạch điện tử. Muốn tạo ra một thiết bị điện tử chúng ta phải sử dụng rất nhiều các linh kiện điện tử, từ những linh kiện đơn giản như điện trở, tụ điện, cuộn dây...đến các linh kiện không thể thiếu được như điốt, tranzito...và các linh kiện điện tử tổ hợp phức tạp. Chúng được đấu nối với nhau theo các sơ đồ mạch đã được thiết kế, tính toán khoa học để thực hiện chức năng của thiết bị thông thường như máy radiocassettes, tivi, máy tính, các thiết bị điện tử y tế... đến các thiết bị thông tin liên lạc như tổng đài điện thoại, các trạm thu - phát thông tin hay các thiết bị vệ tinh vũ trụ v.v...Nói chung cấu kiện điện tử là loại linh kiện tạo ra các thiết bị điện tử do vậy chúng rất quan trọng trong đời sống khoa học kỹ thuật và muốn sử dụng chúng một cách hiệu quả thì chúng ta phải hiểu biết và nắm chắc các đặc điểm của chúng. 1.2. PHÂN LOẠI CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ. Có nhiều cách phân loại cấu kiện điện tử dựa theo những tiêu chí khác nhau. Ở đây chúng ta kể đến một số cách phân loại thông thường: 1.2.1. Phân loại dựa trên đặc tính vật lý: Dựa vào các đặc tính vật lý cấu kiện điện tử có thể chia làm 2 loại: - Các cấu kiện điện tử thông thường: Đây là các linh kiện điện tử có đặc tính vật lý điện điện tử thông thường. Chúng hoạt động dưới tác dụng của các sóng điện từ có tần số từ cực thấp (f = 1Khz÷10Khz) đến tần số siêu cao tần(f = 10Ghz ÷ 100Ghz) hoặc sóng milimet. - Cấu kiện quang điện tử: Đây là các linh kiện điện tử có đặc tính vật lý điện – quang Chúng hoạt động dưới tác dụng của các sóng điện từ có tần số rất cao (f = 10 8 đến 10 9 Ghz) thường được gọi là ánh sáng. 1.2.2. Phân loại dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử: Người ta chia cấu kiện điện tử ra làm 5 loại: - Cấu kiện điện tử chân không: là các cấu kiện điện tử mà sự dẫn điện xảy ra trong môi trường chân không. 3 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn - Cấu kiện điện tử có khí: là các cấu kiện điện tử mà sự dẫn điện xảy ra trong môi trường khí trơ. - Cấu kiện điện tử bán dẫn: là các cấu kiện điện tử mà sự dẫn điện xảy ra trong môi trường chất bán dẫn. - Cấu kiện vi mạch: là các chíp bán dẫn được tích hợp từ các cấu kiện bán dẫn theo sơ đồ mạch đã thiết kế trước và có một hoặc một số chức năng nhất định. - Cấu kiện nanô: đây là các cấu kiện có kích thước nanomet được chế tạo theo công nghệ nanô nên nó có các tính chất cũng như khả năng tiện ích vô cùng đặc biệt, khác hẳn với các cấu kiện có kích thước lớn hơn thông thường (từ μm trở lên). 1.2.3. Phân loại dựa trên chức năng xử lý tín hiệu: Dựa theo chức năng xử lý tín hiệu người ta chia cấu kiện điện tử thành 2 loại là cấu kiện điện tử tương tự (điện tử analoge) và cấu kiện điện tử số (điện tử digital). - Cấu kiện điện tử tương tự là các linh kiện có chức năng xử lý các tín hiệu điện xảy ra liên tục theo thời gian. - Cấu kiện điện tử số là các linh kiện có chức năng xử lý các tín hiệu điện xảy ra rời rạc, không liên tục theo thời gian. 1.2.4. Phân loại dựa vào ứng dụng của cấu kiện điện tử: Dựa vào ứng dụng của cấu kiện điện tử người ta chia cấu kiện điện tử ra làm 2 loại là các cấu kiện điện tử thụ động và các cấu kiện điện tử tích cực: - Cấu kiện điện tử thụ động là các linh kiện điện tử chỉ có khả năng xử lý và tiêu thụ tín hiệu điện - Cấu kiện điện tử tích cực là các linh kiện điện tử có khả năng biến đổi tín hiệu điện, tạo ra và khuếch đại tín hiệu điện. 1.3. KHÁI NIỆM VỀ MẠCH ĐIỆN VÀ HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ 1.3.1. Mạch điện: Mạch điện là một tập hợp gồm có nguồn điện (nguồn áp hoặc nguồn dòng) và các cấu kiện điện tử cùng dây dẫn điện được đấu nối với nhau theo một sơ đồ mạch đã thiết kế nhằm thực hiện một chức năng nào đó của một thiết bị điện tử hoặc một hệ thống điện tử. Ví dụ như mạch tạo dao động hình sin, mạch khuếch đại micro, mạch giải mã nhị phân, mạch đếm xung, hoặc đơn giản chỉ là một mạch phân áp,... 1.3.2. Hệ thống điện tử Hệ thống điện tử là một tập hợp các mạch điện tử đơn giản có các chức năng kỹ thuật riêng thành một thiết bị điện tử có chức năng kỹ thuật nhất định hoặc một hệ thống điện tử phức tạp có chức năng kỹ thuật riêng như máy thu hình, máy hiện sóng, hệ thống phát thanh truyền hình, trạm truyền dẫn vi ba, hệ thống thông tin quang...Mạch điện tử hay một hệ thống điện tử bao giờ cũng có nguồn điện cung cấp một chiều (DC) để phân cực cho các cấu kiện điện tử hoạt động đúng chế độ và nguồn tín hiệu cần xử lý trong mạch. 1.4. VẬT LIỆU ĐIỆN TỬ. Các vật liệu sử dụng trong kỹ thuật điện tử rất đa dạng và rất nhiều. Chúng được gọi chung là vật liệu điện tử để phân biệt với các loại vật liệu sử dụng trong các lĩnh vực khác. Tuỳ theo mục đích sử dụng và yêu cầu kỹ thuật mà lựa chọn vật liệu sao cho thích hợp đảm bảo về các chỉ tiêu kỹ thuật, dễ gia công và giá thành rẻ - Dựa vào lý thuyết vùng năng lượng người ta chia vật chất ra làm ba loại là chất cách điện, chất bán dẫn và chất dẫn điện. Theo lý thuyết này thì các trạng thái năng lượng của 4 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn nguyên tử vật chất được phân chia thành ba vùng năng lượng khác nhau là: vùng hóa trị, vùng dẫn và vùng cấm. Mức năng lượng cao nhất của vùng hóa trị ký hiệu là EV; mức năng lượng thấp nhất của vùng dẫn ký hiệu là EC và độ rộng vùng cấm ký hiệu là EG. + Chất cách điện: Cấu trúc vùng năng lượng của chất cách điện được mô tả trong hình 1-1a. Độ rộng vùng cấm EG có giá trị đến vài eV (EG ≥ 2eV). + Chất bán dẫn: Chất bán dẫn có độ rộng vùng cấm rất nhỏ (EG < 2eV), xem hình 1-1b. Dải dẫn E EC E Điện tử EC Dải dẫn EG < 2 eV EG > 2 eV EV Lỗ trống E EV EC EV EG = 0 Dải hoá trị Dải hoá trị a/ b/ c/ Hình 1- 1: Cấu trúc dải năng lượng của vật chất a- Chất cách điện; b- Chất bán dẫn; c- Kim loại + Kim loại: Cấu trúc vùng năng lượng của tinh thể không có vùng cấm, do đó vùng hóa trị hòa vào vùng dẫn (hình 1-1c) nên điện tử hóa trị chính là các điện tử tự do. - Dựa vào ứng dụng, các vật liệu điện tử thường được phân chia thành 4 loại là chất cách điện (hay chất điện môi), chất dẫn điện, chất bán dẫn và vật liệu từ. 1.4.1. Chất cách điện (hay chất điện môi). a. Định nghĩa. Chất cách điện, hay còn gọi là chất điện môi. Chất cách điện có điện trở suất cao vào khoảng 107 ÷ 1017Ωm ở nhiệt độ phòng. Chất cách điện gồm phần lớn các vật liệu vô cơ cũng như hữu cơ. Chúng có thể ở thể khí, thể lỏng và thể rắn. b. Các tính chất của chất điện môi. - Độ thẩm thấu điện tương đối (hay còn gọi là hằng số điện môi): Hằng số điện môi ký hiệu là ε, nó biểu thị khả năng phân cực của chất điện môi và được xác định bằng biểu thức: C ε= d (1. 1) C0 Trong đó: Cd là điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi; C0 là điện dung của tụ điện sử dụng chất điện môi là chân không hoặc không khí. 5 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn - Độ tổn hao điện môi (Pa): Độ tổn hao điện môi là công suất điện chi phí để làm nóng chất điện môi khi đặt nó trong điện trường và được tính theo công thức tổng quát sau: Pa = U 2ωCtgδ (1. 2) Trong đó: Pa là độ tổn hao điện môi đo bằng oát (w) U là điện áp đặt lên tụ điện đo bằng vôn (V) C là điện dung của tụ điện dùng chất điện môi đo bằng Farad (F) ω là tần số góc đo bằng rad/s tgδ là góc tổn hao điện môi - Độ bền về điện của chất điện môi (Eđ.t.): Nếu ta đặt một chất điện môi vào trong một điện trường mà nó bị mất khả năng cách điện - ta gọi đó là hiện tượng đánh thủng chất điện môi. Trị số điện áp khi xẩy ra hiện tượng đánh thủng chất điện môi gọi là điện áp đánh thủng Uđ.t. thường đo bằng KV, và cường độ điện trường tương ứng với điểm đánh thủng gọi là độ bền về điện. Độ bền về điện ký hiệu là Eđ.t. và được tính theo công thức: E ®.t = U ®.t d [KV / mm;KV / cm] (1. 3) Trong đó: Uđ.t. - là điện áp đánh thủng chất điện môi d - là bề dày của chất điện môi bị đánh thủng - Nhiệt độ chịu đựng: Là nhiệt độ cao nhất mà ở đó chất điện môi giữ được các tính chất lý hóa của nó. - Dòng điện trong chất điện môi (I): Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần là dòng điện chuyển dịch và dòng điện rò. • Dòng điện chuyển dịch IC.M (hay gọi là dòng điện phân cực): Quá trình chuyển dịch phân cực của các điện tích liên kết trong chất điện môi sẽ tạo nên dòng điện phân cực IC.M. Khi ở điện áp xoay chiều dòng điện chuyển dịch tồn tại trong suốt thời gian chất điện môi nằm trong điện trường. Khi ở điện áp một chiều dòng điện chuyển dịch chỉ tồn tại ở các thời điểm đóng hoặc ngắt điện áp. • Dòng điện rò Irò: Dòng điện rò là dòng điện được tạo ra do các điện tích tự do và điện tử phát xạ ra chuyển động dưới tác động của điện trường. Dòng điện tổng qua chất điện môi sẽ là: I = IC.M. + Irò - Điện trở cách điện của chất điện môi: Điện trở cách điện được xác định theo trị số của dòng điện rò: R c.® = U (1. 4) I − ∑ ICM Trong đó: I - Dòng điện nghiên cứu 6 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn ΣIC.M. - Tổng các thành phần dòng điện phân cực c.Phân loại và ứng dụng của chất điện môi. Chất điện môi được chia làm 2 loại là chất điện môi thụ động và chất điện môi tích cực. - Chất điện môi thụ động còn gọi là vật liệu cách điện và vật liệu tụ điện. Bảng 1.1 giới thiệu một số chất điện môi thông dụng và đặc tính của chúng. - Chất điện môi tích cực là các vật liệu có thể điều khiển được như: + Về điện trường có gốm, thuỷ tinh,.. + Về cơ học có chất áp điện như thạch anh áp điện + Về ánh sáng có chất huỳnh quang + Electric hay cái châm điện là vật chất có khả năng giữ được sự phân cực lớn và lâu dài. Bảng 1.1. Giới thiệu đặc tính của một số chất điện môi thụ động thông dụng Vật liệu Eđ.t. KV/mm ε tgδ ρ (Ω.m) Mi ca 50 ÷ 200 6÷8 0,0004 1015 Sứ 15 ÷ 30 Gốm làm tụ 10 ÷ 40 Tỷ trọng KG/m3 2,8.103 3.1014 6,3÷7,5 12÷900 0,002÷0,025 1700÷4500 0,0006 4 ÷ 4,6 0,05 ÷ 0,12 4.103 1,6.103 1,2.103 Nhựa tổng hợp Bìa cáchđiện Giấy 9 ÷ 12 30 3÷4 3÷4 Lụa Sáp 8 ÷ 60 20 ÷ 35 3,8 ÷ 4,5 2,8 ÷ 2,9 0,04 ÷ 0,08 Paraphin 20 ÷ 30 2,2 ÷ 2,3 1016 Nhựa thông 10 ÷15 3,5 0,0003÷ 0,0007. 0,01 Polime 15 ÷20 2,3 ÷ 2,4 1.10-4÷5. 10-4 Cao su Dầu tụ điện 20÷30 20 3÷7 2,2 0,02÷0.1 0,002÷0.005 1015 ÷1017 1015 0,15 1,5.103 0,9.103 1,6.103 Ứng dụng Tụ điện, cách điện Giá đỡ, tụ điện.. Tụ cao tần, tụ tần thấp.. Cách điện Cách điện Tụ điện, cách điện Cách điện Tẩm chống ẩm Tẩm chống ẩm Làm sạch mối hàn Cách điện ở cao tần Vỏ dây dẫn Tụ điện, cáp điện 1.4.2. Chất dẫn điện a.Định nghĩa. Chất dẫn điện là vật liệu có độ dẫn điện cao. Điện trở suất của chất dẫn điện nằm trong khoảng 10-8 ÷ 10-5 Ωm. Trong tự nhiên chất dẫn điện có thể là chất rắn, chất lỏng hoặc chất khí. 7 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn b. Các tính chất của chất dẫn điện. - Điện trở suất: ρ=R S [Ω.m] , [Ω.mm] , [μΩ.m] l (1. 5) S - tiết diện ngang của dây dẫn [mm2; m2] l - chiều dài dây dẫn [mm; m] R - trị số điện trở của dây dẫn [Ω] Điện trở suất của chất dẫn điện nằm trong khoảng từ: ρ = 0,016 μΩ.m (của bạc Ag) đến ρ= 10 μΩ.m (của hợp kim sắt - crôm - nhôm) - Hệ số nhiệt của điện trở suất (α): Hệ số nhiệt của điện trở suất biểu thị sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 0 1 C. Khi nhiệt độ tăng thì điện trở suất cũng tăng lên theo quy luật: ρ t = ρ0 (1 + αt) (1. 6) trong đó: ρt - điện trở suất ở nhiệt độ t (0C) ρ0 - điện trở suất ở nhiệt độ 00C α - hệ số nhiệt của điện trở suất [K-1] Để cho kim loại nguyên chất thì hệ số nhiệt của chúng hầu như đều bằng nhau và bằng: α= 1/ 273,15 K-1 = 0,004 K-1. - Hệ số dẫn nhiệt : λ Lượng nhiệt truyền qua diện tích bề mặt S trong thời gian t là: trong đó: Q=λ ΔT St Δl (1. 7) Trong đó: λ - là hệ số dẫn nhiệt [w/ (m.K)]. ΔT/Δl - là gradien nhiệt độ (ΔT là lượng chênh lệch nhiệt độ ở hai điểm cách nhau một khoảng là Δl) S - là diện tích bề mặt t - là thời gian - Công thoát của điện tử trong kim loại: Năng lượng cần thiết cấp thêm cho điện tử để nó thoát ra khỏi bề mặt kim loại được gọi là công thoát của kim loại. EW - Điện thế tiếp xúc: Nghiên cứu hai chất kim loại tiếp xúc với nhau như tiếp xúc C trong hình 1- 2. A B 2 1 C Hình 1- 3 : Hai kim loại có tiếp xúc C. 8 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn Hiệu điện thế tiếp xúc giữa hai kim loại này được xác định là sự chênh lệch thế năng EAB giữa điểm A và B và được tính theo công thức: EAB = EW2 - EW1 (1. 8) Tương ứng với thế năng EAB (đo bằng eV) ta có điện thế tiếp xúc (đo bằng Vôn), ký hiệu là VAB và có trị số bằng EAB. Nếu kim loại 1 và 2 giống nhau, điện thế tiếp xúc giữa chúng bằng 0. Nếu hai kim loại khác nhau thì kim loại nào có công thoát thấp hơn trở thành điện tích dương và kim loại có công thoát cao hơn sẽ trở thành điện tích âm. b. Một số loại vật liệu dẫn điện thường dùng. Chất dẫn điện được chia làm 2 loại là chất dẫn điện có điện trở suất thấp và chất dẫn điện có điện trở suất cao. - Chất dẫn điện có điện trở suất thấp: Chất dẫn điện có điện trở suất thấp (hay độ dẫn điện cao) thường dùng làm vật liệu dẫn điện. Bảng 1.2 giới thiệu một số chất dẫn điện có điện trở suất thấp và tham số của chúng. Bảng 1.2. Chất dẫn điện có điện trở suất thấp và các tính chất điện. Vật liệu ρ (μΩ.m) α (K-1) Bạc (Ag) 0,0165 0,0038 tn.c. (0C) Tỷ trọng (103Kg/ m3) 960 10,8 Đồng đỏ (Cu) 0,0175 0,0043 1080 Hợp kim đồng 0,030÷0,06 0,002 900 Nhôm (Al) 0,0267 0,0045 660 2,7 Thiếc (Sn) Chì (Pb) 0,115 0,21 0,0042 0,004 230 330 7,3 11,4 Vonfram (W) 0,055 2500 19,31 Moliden (Mo) 0,057 1500 10.2 Niken (Ni) 0,078 1450 8,9 Vàng (Au) 0,024 Bạch kim (Pt) 0,105 8,96 19,31 9 Ứng dụng Mạ công tắc, bản cực, ống dẫn sóng… Dây dẫn, chân cực linh kiện, ống dẫn sóng… lá tiếp xúc,dây điện thoại, dây điện trở… Dây dẫn, điện cực, vỏ tụ… hàn Cầu chì, vỏ cáp, acqui axit. Sợi nung, công tắc, điện cực… Sợi nung, công tắc, điện cực… Sợi nung, công tắc, điện cực… Dây dẫn cao tần, chân vi mạch, ống dẫn sóng…chống ăn mòn Tiếp điểm, chất dẫn điện, đồng hồ đo điện... Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn - Chất dẫn điện có điện trở suất cao: Các hợp kim có điện trở suất cao dùng để chế tạo các dụng cụ đo điện, các điện trở, biến trở, các dây may so, các thiết bị nung nóng bằng điện. Bảng 1.3. Một số hợp kim thông thường và tính chất điện của chúng. Vật liệu ρ (μΩ.m) α (K-1) tnc ( 0C) Manganhin 0,42 ÷ 0,48 0,00005 1200 Constantan Nicrôm 0,48 ÷ 0,52 1 ÷ 1,2 0,00005 0,00015 1270 1400 Cacbon (C) 0,28 ÷ 3,5 0,00004 1400 tỷ trọng Ứng dụng 3 (10 Kg/ m3) 8,4 Điện trở mẫu, dụng cụ đo điện 8,9 Biến trở, sợi đốt 8,2 Sợi nung, mỏ hàn, bếp điện, bàn là… Điện trở, chất bôi trơn, micrôphôn… 1.4.3. Chất bán dẫn a. Định nghĩa và đặc điểm của chất bán dẫn. Chất bán dẫn là vật chất có điện trở suất nằm ở giữa trị số điện trở suất của chất dẫn điện và chất điện môi khi ở nhiệt độ phòng: ρ = 10-4 ÷ 107 Ω.m Trong kỹ thuật điện tử chỉ sử dụng một số chất bán dẫn có cấu trúc đơn tinh thể, quan trọng nhất là hai nguyên tố Gecmani và Silic. Thông thường Gecmani và Silic được dùng làm chất chính, còn các chất như Bo, Indi (nhóm 3), phôtpho, Asen (nhóm 5) làm tạp chất cho các vật liệu bán dẫn chính. Đặc điểm của cấu trúc mạng tinh thể này là độ dẫn điện của nó rất nhỏ khi ở nhiệt độ thấp và nó sẽ tăng theo lũy thừa với sự tăng của nhiệt độ và tăng gấp bội khi có trộn thêm tạp chất. b. Chất bán dẫn nguyên tính. Chất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể của nó chỉ có nguyên tử của một loại nguyên tố thì chất đó gọi là chất bán dẫn nguyên tính (hay chất bán dẫn thuần) và được ký hiệu bằng chỉ số i (Intrinsic). - Hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần: Hạt tải điện trong chất bán dẫn là các điện tử tự do trong vùng dẫn và các lỗ trống trong vùng hóa trị Xét cấu trúc của tinh thể Gecmani hoặc Silic biểu diễn trong không gian hai chiều như trong hình (1- 3): Gecmani (Ge) và Silic (Si) đều có 4 điện tử hóa trị ở lớp ngoài cùng. Trong mạng tinh thể mỗi nguyên tử Ge (hoặc Si) sẽ góp 4 điện tử hóa trị của mình vào liên kết cộng hóa trị với 4 điện tử hóa trị của 4 nguyên tử kế cận để sao cho mỗi nguyên tử đều có hóa trị 4. Hạt nhân bên trong của nguyên tử Ge (hoặc Si) mang điện tích +4. Như vậy các điện tử hóa trị ở trong liên kết cộng hóa trị sẽ có liên kết rất chặt chẽ với hạt nhân. Do vậy, mặc dù có sẵn 4 điện tử hóa trị nhưng tinh thể bán dẫn có độ dẫn điện thấp. Ở nhiệt độ 00K, cấu trúc lý tưởng như ở hình (1- 3) là gần đúng và tinh thể bán dẫn như là một chất cách điện. 10 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn Ge +4 Ge Ge +4 Ge +4 +4 Ge +4 Ge +4 Ge Ge Ge +4 +4 +4 Hình 1- 3 : Cấu trúc tinh thể Ge biểu diễn trong không gian hai chiều Ge +4 Lỗ trống Ge +4 Ge +4 Điện tử tự do Ge Ge +4 Ge +4 Ge +4 +4 Ge Ge +4 +4 Hình 1- 4 : Tinh thể Gecmani với liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ Tuy nhiên, ở nhiệt độ trong phòng một số liên kết cộng hóa trị bị phá vỡ do nhiệt làm cho chất bán dẫn có thể dẫn điện. Hiện tượng này mô tả trong hình 1- 4. Ở đây, một số điện tử bứt ra khỏi liên kết cộng hóa trị của mình và trở thành điện tử tự do. Năng lượng EG cần thiết để phá vỡ liên kết cộng hóa trị khoảng 0,72eV cho Ge và 1,1eV cho Si ở nhiệt độ trong phòng. Chỗ thiếu 1 điện tử trong liên kết cộng hóa trị được gọi là lỗ trống. Lỗ trống mang điện tích dương và có cùng độ lớn với điện tích của điện tử. Điều quan trọng là lỗ trống có thể dẫn điện như điện tử tự do. Trong chất bán dẫn nguyên tính, số lượng các lỗ trống đúng bằng số lượng các điện tử tự do. pi = ni pi - nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn nguyên tính ni - nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn nguyên tính Tiếp tục tăng nhiệt độ thì từng đôi điện tử - lỗ trống mới sẽ xuất hiện, ngược lại khi có hiện tượng tái hợp sẽ mất đi từng đôi điện tử- lỗ trống. - Độ dẫn điện của chất bán dẫn: Mật độ dòng điện qua chất bán dẫn J sẽ là: 11 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn J = (n.μ n + p.μ p )qE = σE n- là nồng độ điện tử tự do (điện tích âm) p- là nồng độ lỗ trống (điện tích dương) σ- là độ dẫn điện μn - độ linh động của điện tử μp.- độ linh động của lỗ trống Do đó độ dẫn điện: σ = (nμ n + pμ p )q (1. 9) Trong đó: (1. 10) Bảng 1. 4 : Các đặc tính của Ge và Si Các đặc tính Ge Si Số nguyên tử------------------------------------------32 14 Nguyên tử lượng--------------------------------------72,6 28,1 3 Tỷ trọng (g/cm )--------------------------------------5,32 2,33 Hằng số điện môi-------------------------------------16 12 3 22 Số nguyên tử/cm ------------------------------------4,4.10 5,0.1022 EG0,eV, ở 00K (năng lượng vùng cấm)-------------0,785 1,21 0 EG, eV, ở 300 K -------------------------------------0,72 1,1 0 -3 13 ni ở 300 K , cm (nồng độ hạt dẫn điện tử) ------2,5.10 1,5.1010 45 230 Điện trở suất nguyên tính ở 3000K [Ω.cm] ------3800 1300 μn , cm2/ V-sec --------------------------------------1800 500 μp ,cm2/ V-sec --------------------------------------99 34 Dn , cm2/ sec = μn.VT -------------------------------47 13 Dp , cm2/ sec = μp.VT ------------------------------Khi tăng nhiệt độ, mật độ các đôi điện tử - lỗ trống tăng và do đó độ dẫn điện tăng. Cho nên, nồng độ điện tử ni của bán dẫn nguyên tính sẽ thay đổi theo nhiệt độ trong quan hệ: n i2 = A 0T3e − EG 0 / KT Trong đó: 20 (1. 11) 2 A0 - là hằng số đo bằng A/(m . K ) EG0 - là độ rộng vùng cấm ở 00K μn, μp và nhiều đại lượng vật lý quan trọng của Gecmani và Silic cho ở bảng (1.4). Độ dẫn điện của Gecmani hoặc Silic được tính theo công thức (1-11) sẽ tăng xấp xỉ 6% hoặc 8% khi nhiệt độ tăng 10C (tương ứng). b. Chất bán dẫn tạp loại N (chất bán dẫn tạp loại cho). Ta thêm một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm 5 của bảng tuần hoàn Menđêlêép (thí dụ Antimon - Sb) vào chất bán dẫn Gecmani (Ge) hoặc Silic (Si) nguyên chất. Các nguyên tử tạp chất (Sb) sẽ thay thế một số các nguyên tử của Ge (hoặc Si) trong mạng tinh thể và nó sẽ đưa 4 điện tử trong 5 điện tử hóa trị của mình tham gia vào liên kết cộng hóa trị với 4 nguyên tử Ge (hoặc Si) ở bên cạnh, còn điện tử thứ 5 sẽ thừa ra nên liên kết của nó trong mạng tinh thể là rất yếu, xem hình (1-5) . Muốn giải phóng điện tử thứ 5 này thành điện tử tự do ta chỉ cần cấp một năng lượng rất nhỏ khoảng 0,01eV cho gecmani hoặc 0,05eV cho silic. Các tạp chất hóa trị 5 được gọi là tạp chất cho điện tử (Donor) hay tạp chất N. 12 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn Ge +4 Ge Ge Sb +4 Ge +4 Ge Ge +4 +4 E Vùng dẫn e5 +5 +4 Ge Ge EC ED +4 EV +4 0,01 eV Mức cho EG Vùng hoá trị Hình 1- 5 : Mạng tinh thể Ge có thêm tạp chất Sb hóa trị 5 (mạng tinh thể của gecmani loại N) Hình 1- 6 : Đồ thị vùng năng lượng của bán dẫn Ge loại N Mức năng lượng mà điện tử thứ 5 chiếm đóng là mức năng lượng cho phép được hình thành ở khoảng cách rất nhỏ dưới dải dẫn và gọi là mức cho, xem hình (1-6). Và do đó, ở nhiệt độ trong phòng, hầu hết các điện tử thứ 5 của tạp chất cho sẽ nhảy lên dải dẫn, nhưng trong dải hóa trị không xuất hiện thêm lỗ trống. Các nguyên tử tạp chất cho điện tử trở thành các ion dương cố định. Ở chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (nn) nhiều hơn nhiều nồng độ lỗ trống pn và điện tử được gọi là hạt dẫn đa số, lỗ trống được gọi là hạt dẫn thiểu số. nn >> pn trong đó: nn - là nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn tạp loại N pn - là nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn tạp loại N c. Chất bán dẫn tạp loại P (chất bán dẫn tạp loại nhận). Khi ta đưa một ít tạp chất là nguyên tố thuộc nhóm 3 của bảng tuần hoàn Menđêlêép (thí dụ Indi - In) vào chất bán dẫn nguyên tính Gecmani (hoặc Silic). Nguyên tử tạp chất sẽ đưa 3 điện tử hóa trị của mình tạo liên kết cộng hóa trị với 3 nguyên tử Gecmani (hoặc Silic) bên cạnh còn mối liên kết thứ 4 để trống. Trạng thái này được mô tả ở hình (1- 7). Điện tử của mối liên kết gần đó có thể nhảy sang để hoàn chỉnh mối liên kết thứ 4 còn để dở. Nguyên tử tạp chất vừa nhận thêm điện tử sẽ trở thành ion âm và ngược lại ở nguyên tử chất chính vừa có 1 điện tử chuyển đi sẽ tạo ra một lỗ trống trong dải hóa trị của nó. Các tạp chất có hóa trị 3 được gọi là tạp chất nhận điện tử (Acceptor) hay tạp chất loại P. Mức năng lượng để trống của tạp chất trong chất bán dẫn chính sẽ tạo ra một mức năng lượng cho phép riêng nằm ở bên trên dải hóa trị gọi là mức nhận, (xem hình 1- 8) 13 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn Ge +4 Ge +4 Ge +4 E Vùng dẫn Ge In +4 Ge +4 Ge +3 +4 Ge Ge EC +4 ED EV +4 Hình 1- 7 : Mạng tinh thể gecmani với một nguyên tử In hóa trị 3 EG Mức nhận Vùng hoá trị 0,01 eV Hình 1- 8 : Biểu đồ vùng năng lượng của bán dẫn loại P Nếu tăng nồng độ tạp chất nhận thì nồng độ của các lỗ trống tăng lên trong dải hóa trị, nhưng nồng độ điện tử tự do trong dải dẫn không tăng. Vậy chất bán dẫn loại này có lỗ trống là hạt dẫn đa số và điện tử là hạt dẫn thiểu số và nó được gọi là chất bán dẫn tạp loại P. PP >> NP trong đó: PP - nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn P NP - nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn P Kết luận: Qua đây ta thấy, sự pha thêm tạp chất vào bán dẫn nguyên tính không những chỉ tăng độ dẫn điện, mà còn tạo ra một chất dẫn điện có bản chất dẫn điện khác hẳn nhau: trong bán dẫn tạp loại N điện tử là hạt dẫn điện chính, còn trong bán dẫn tạp loại P, lỗ trống lại là hạt dẫn điện chính. d. Mật độ điện tích trong chất bán dẫn. Quan hệ giữa nồng độ hạt dẫn điện tử n và nồng độ hạt dẫn lỗ trống p trong chất bán dẫn theo công thức gọi là luật khối lượng tích cực như sau: (1. 12) n.p = ni2 Gọi ND là nồng độ các nguyên tử chất cho và chúng đều bị ion hóa. Do đó mật độ tổng các điện tích dương sẽ là ND + p. Tương tự, NA là nồng độ các ion nhận và tổng mật độ điện tích âm sẽ là NA + n. Do tính trung hòa về điện trong chất bán dẫn thì mật độ các điện tích dương bằng mật độ các điện tích âm, nên ta có: ND + p = NA + n (1. 13) Xét một vật liệu bán dẫn loại N thì sẽ có NA = 0. Số lượng điện tử trong bán dẫn N lớn hơn nhiều so với số lỗ trống, khi đó công thức (1.13) đơn giản còn: n ≈ ND (1. 14) Như vậy, trong bán dẫn N nồng độ điện tử tự do xấp xỉ bằng mật độ các nguyên tử tạp chất cho. Do đó công thức (1.14) được viết: n n = ND (1. 15) Nồng độ lỗ trống trong bán dẫn N được viết theo công thức (1.12) ta có: 14 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn n i2 n i2 pn = = n n ND (1. 16) và nn >> pn Tương tự, đối với bán dẫn tạp loại P ta có: p p = N A vµ và np = n i2 NA (1. 17) pp >> np e. Dòng điện trong chất bán dẫn. Trong chất bán dẫn có 2 thành phần dòng điện là dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi. - Dòng điện khuếch tán: Sự tồn tại gradient nồng độ hạt dẫn (dP/dx, dn/dx) sẽ dẫn đến hiện tượng khuếch tán của các hạt dẫn từ nơi có nồng độ cao về nơi có nồng độ thấp và tạo ra dòng điện khuếch tán trong chất bán dẫn. Hiện tượng khuếch tán các lỗ trống tạo nên mật độ dòng điện lỗ trống JP [ampe/m2] được tính theo công thức sau: J P = −q.DP dP dx (1. 18) trong đó: DP [m2/sec] - là hệ số khuếch tán của lỗ trống. Tương tự, công thức tính mật độ dòng điện điện tử khuếch tán là: J n = q.D n dn dx (1. 19) trong đó: Dn - là hệ số khuếch tán của điện tử. Cả hai hiện tượng khuếch tán và dịch chuyển (hiện tượng trôi) đều là các hiện tượng nhiệt động học thống kê, D và μ không độc lập, chúng quan hệ với nhau theo công thức: DP Dn = = VT μP μn (1. 20) Trong đó VT = KT T = gọi là điện thế nhiệt. q 11600 Tại nhiệt độ phòng (3000K) thì μ = 39D. Trong đó, giá trị D cho silic và gecmani cho ở bảng 1-4. Mật độ dòng điện khuếch tán là: Jk.t. = Jp + Jn - Dòng điện trôi: Dòng điện trôi là dòng chuyển động của các hạt dẫn dưới tác dụng của điện trường : (1. 21) J = σ.E = q(nμn + pμp).E f. Đặc điểm của vật liệu bán dẫn quang. Chất bán dẫn được dùng để tạo nguồn ánh sáng hầu hết đều có vùng cấm tái hợp trực tiếp. Trong chất bán dẫn các điện tử và lỗ trống có thể tái hợp trực tiếp với nhau qua vùng cấm mà không cần một hạt thứ 3 nào để bảo toàn xung lượng. Chỉ trong các vật liệu có vùng cấm trực tiếp hiện tượng tái hợp bức xạ mới có hiệu suất cao để tạo ra một mức độ phát xạ quang thích hợp. Mặc dù không có một đơn tinh thể bán dẫn nào có vùng cấm tái hợp trực tiếp, nhưng 15 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn các hợp chất của các chất thuộc nhóm III và nhóm V có thể cho ta vật liệu có vùng cấm tái hợp trực tiếp. Đây là các vật liệu được tạo nên từ sự liên kết của các nguyên tố nhóm III (như Al, Ga, hoặc In) và các nguyên tố nhóm V (như P, As, hoặc Sb). Sự liên kết ba và bốn thành phần khác nhau của các hợp chất đôi của các nguyên tố này cũng là các vật liệu rất thích hợp cho các nguồn ánh sáng. Để làm việc ở phổ từ 800 ÷ 900nm, vật liệu được sử dụng thường là hợp kim 3 thành phần AlXGaAs. Tỉ lệ x của nhôm (Al) và galium asenic (GaAs) xác định độ rộng vùng cấm của chất bán dẫn và, tương ứng, xác định bước sóng đỉnh của phát xạ bức xạ đỉnh. Điều này mô tả trong hình (1- 9). Giá trị x để cho vùng hoạt động của vật liệu được lựa chọn thường xuyên đạt được bước sóng là 800nm đến 850nm. Ở các bước sóng dài hơn thì chất 4 thành phần In1-XGaXAsYP1-Y là một trong các vật liệu cơ bản được sử dụng. Bằng sự thay đổi tỷ lượng phân tử gam x và y trong vùng hoạt động, các điốt phát quang (LED) có thể tạo ra công suất đỉnh ở bước sóng bất kỳ giữa 1,0 và 1,7μm. Để đơn giản ký hiệu GaAlAs và InGaAsP một cách tổng quát khi không cần nói rõ giá trị x và y cũng như các ký hiệu khác như AlGaAs; (AlGa)As; (GaAl)As; GaInPAs; và InXGa1-XAsYP1-Y. EG(eV 2,2 λ (μm) 2,0 0,6 “Trực tiếp” 1,8 “Gián tiếp” 0,7 0,8 1,6 AlXGa1-XAs 1,4 0 0,1 0,2 0,9 0,3 0,4 0,5 Tỉ lượng Al : x Hình 1- 9 : Bề rộng vùng cấm và bước sóng bức xạ ra là hàm của tỉ lượng phân tử gam của Al cho chất AlXGa1-XAs ở nhiệt độ phòng. Các chất GaAlAs và InGaAsP thường được chọn để tạo chất bán dẫn sử dụng trong các linh kiện nguồn sáng vì nó có thể phù hợp với các tham số mạng tinh thể của giao diện cấu trúc dị thể bằng việc sử dụng một liên kết chính xác các vật liệu 2, 3, và 4 thành phần. Các yếu tố này ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất bức xạ và tuổi thọ của nguồn sáng. Quan hệ cơ học lượng tử giữa năng lượng E và tần số ν(f): E = hν = hc λ Bước sóng phát xạ đỉnh λ đo bằng μm có thể biểu diễn như một hàm của năng lượng vùng cấm EG đo bằng eV theo công thức: 16 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn λ(μm) = 1.5 1, 24 EG (1.22) VẬT LIỆU TỪ 1.5.1 Định nghĩa. Vật liệu từ là vật liệu khi đặt vào trong một từ trường thì nó bị nhiễm từ. Quá trình nhiễm từ của các vật liệu sắt từ dưới tác dụng của từ trường ngoài dẫn đến sự tăng nguồn nhiễm từ và quay các vectơ mômen từ theo hướng của từ trường ngoài 1.5.2 Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ. a. Từ trở và từ thẩm: Giống như điện trở của một dây dẫn, mạch từ cũng có từ trở Rm. Từ trở là một đại lượng đánh giá sự ngăn cản việc lập nên từ thông của một mạch từ. Từ trở được tính theo công thức sau: Rm = 1 l . μ S (1. 23) trong đó: l - là độ dài của mạch từ S - là tiết diện của mạch từ μ - là độ từ thẩm của vật liệu trong mạch từ Số nghịch đảo của μ tương ứng với điện trở suất ρ trong mạch điện. Vậy 1/μ là từ trở suất của 1m3 vật liệu từ. Độ từ thẩm là số nghịch đảo của từ trở μ= 1 l Φ = R m S Fm (1. 24) μ là độ từ thẩm của vật liệu từ Fm là lực từ động và Φ là từ thông. Thay các giá trị của Rm và Fm và thay công thức tính mật độ từ thông (độ cảm ứng từ) B = Φ/S (1. 25) ta có công thức tính độ từ thẩm: trong đó : μ= B H [H / m] (1. 26) Vậy độ từ thẩm là tỉ số giữa cảm ứng từ B và cường độ từ trường H và có đơn vị đo bằng Henry/met [H/m], trong đó H đo bằng Ampe/met. Độ từ thẩm của không gian tự do μ0: μ0 = 4π.10−7 [H / m] b. Độ từ thẩm tương đối (μr): Sự gia tăng từ thông tổng hợp là độ cảm ứng từ B khi cho sắt hoặc thép vào một mạch điện được tính là độ từ thẩm tương đối μr và công thức (1-61) được viết lại thành: μ r .μ0 = B H (1. 27) Trong trường hợp của không khí và các vật liệu không từ tính khác thì μr = 1. 17 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn Tuỳ theo từng loại sắt hoặc thép mà μr = 400 ÷ 2500 Thép lá B (T) 1,8 μr 1,6 2500 1,4 2000 1,2 1500 1000 Thép tấm Gang 1,0 0,8 0,6 μr (Thép lá) 0,4 500 0,2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 (103 H/A/m) Hình 1- 10 : Đường cong từ hóa của gang, thép lá, thép đúc tấm và đường cong từ thẩm của thép lá. Hình (1- 10) mô tả sự thay đổi của độ cảm ứng từ B khi cường độ từ trường H thay đổi trên các mẫu là mạch sắt từ khép kín và đường cong từ thẩm của thép lá. Đường từ hóa có thể được dùng để xác định độ cảm ứng từ B đối với một giá trị cường độ từ trường đã cho. Từ đó, độ từ thẩm tương đối của mỗi mẫu có thể được tính và vẽ trên đồ thị đường từ hóa này. Đường đứt nét trong hình (1-10) mô tả độ từ thẩm tương đối μr của thép lá. Độ từ thẩm tương đối không phải là đại lượng không đổi, nó phụ thuộc vào cường độ từ trường H. Đối với thép lá độ từ thẩm cực đại đạt được ở cường độ từ trường xấp xỉ 250A/m. c. Đường cong từ hóa: Đặc trưng cho tính chất của vật liệu từ ta có đường cong từ hóa B = f (H) biểu thị mối quan hệ giữa độ cảm ứng từ B và cường độ từ trường H (xem hình 1- 11). Khi độ cảm ứng từ B và cường độ từ trường H trong cuộn dây thay đổi với số gia là ΔB và ΔH thì số gia của độ từ thẩm ΔB / ΔH sẽ trở nên quan trọng. 18 Giới thiệu chung và vật liệu điện tử CÊu kiÖn ®iÖn ΔH B ΔB c b ΔH ΔB a 0 ΔB H ΔH Hình 1- 11 : Độ từ thẩm là tỉ số của B/H. Điều cần biết ở đây là ta muốn đạt được một giá trị độ từ thẩm lớn nhất khi độ cảm ứng từ B cực đại với cường độ từ trường H có thể nhỏ nhất. Một quan hệ quan trọng khác là các giá trị thay đổi của B và H trong hình (1- 11). Độ nghiêng của đường cong từ hóa tại một điểm bất kỳ được gọi là gia lượng từ thẩm Δμ. Δμ =ΔB/ΔH Độ gia từ thẩm quan trọng trong ứng dụng mà ở đó yêu cầu sự thay đổi rất nhỏ của cường độ từ trường H và sự thay đổi lớn của cảm ứng từ B. • Hiện tượng trễ: Hình (1- 12) Đường cong từ hóa biểu thị quan hệ giữa độ cảm ứng từ B và cường độ từ trường H của vật liệu từ khi ta đặt nó trong từ trường. Như biểu thị trong hình ta có: Bs - cảm ứng từ bão hòa Bd - cảm ứng từ dư Hc - lực kháng từ Đường cong 0-a-b-c xảy ra khi vật liệu từ ban đầu là không bị nhiễm từ và cường độ từ trường tăng từ 0 lên. Khi ta giảm cường độ từ trường từ Hmax xuống đến 0 thì vật liệu từ vẫn còn giữ lại một số từ thông. Độ cảm ứng từ còn lại trong vật liệu từ đã nhiễm từ khi cường độ từ trường giảm xuống đến 0 gọi là độ cảm ứng từ dư (đoạn o-d): (Bd). Để giảm độ cảm ứng từ dư đến 0, ta cần cung cấp một cường độ từ trường âm. Cường độ từ trường cần thiết (o-e) để giảm độ cảm ứng từ dư đến 0 được gọi là lực kháng từ (HC). Khi tiếp tục tăng giá trị ngược của cường độ từ trường H, thì độ cảm ứng từ B cũng tăng theo chiều âm đến giá trị bão hòa, ta có đường cong từ hóa mới (đoạn e-f). Một lần nữa, cường độ từ trường ngược lại giảm đến 0 thì độ cảm ứng từ cũng giảm đến giá trị cảm ứng từ dư (đoạn o-g). Và để giảm độ cảm ứng từ đến 0, ta lại phải tăng cường độ từ trường theo chiều dương đến trị số HC (đoạn o-h) và đây cũng chính là lực kháng từ. Tiếp tục tăng cường độ từ trường theo chiều dương ta được đoạn "h-c" của đồ thị. Như vậy, đồ thị B/H có dạng một vòng khép kín. Vòng này đối xứng với độ lớn +Bmax = -Bmax, và +Hmax = -Hmax. Vòng từ trễ chứng minh rằng, một ít năng lượng được hấp thụ vào trong vật liệu từ để 19